ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 > FGH40N60UFTU
数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
+xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FGH40N60UFTU由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FGH40N60UFTU价格参考。Fairchild SemiconductorFGH40N60UFTU封装/规格:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单, IGBT Field Stop 600V 80A 290W Through Hole TO-247。您可以下载FGH40N60UFTU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FGH40N60UFTU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor的FGH40N60UFTU是一款MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于超快沟道MOSFET (UGBT) 系列,适用于多种高电压、高效率的应用场景。以下是其主要应用场景: 1. 开关电源 (SMPS) - FGH40N60UFTU的高电压耐受能力(600V)和低导通电阻(Rds(on) = 0.38Ω,典型值)使其非常适合用于开关电源中的功率转换电路。 - 它可以作为主开关器件,在DC-DC转换器或AC-DC适配器中实现高效的能量传输。 2. 电机驱动 - 在工业自动化和家用电器中,该MOSFET可用于驱动小型到中型电机。 - 其快速开关特性和低损耗有助于提高电机控制系统的效率,减少热量产生。 3. 逆变器 - 该器件适用于太阳能逆变器或其他类型的电力逆变器,用于将直流电转换为交流电。 - 高频开关能力和低开关损耗使其在逆变器应用中表现出色。 4. PFC (功率因数校正) 电路 - 在功率因数校正电路中,FGH40N60UFTU可以用作升压开关,帮助提高系统的功率因数并降低谐波失真。 5. 电池管理系统 (BMS) - 在电动车、储能系统或其他需要电池管理的设备中,该MOSFET可用作充放电控制开关,确保电池的安全运行和高效管理。 6. 家电和消费电子 - 在电磁炉、空调压缩机、洗衣机等家电中,FGH40N60UFTU可用于功率控制和负载切换。 - 其紧凑的封装形式(TO-220 Fullpak)便于集成到各种消费电子产品中。 7. 汽车电子 - 虽然不是车规级产品,但在非关键汽车应用中(如车灯控制、风扇驱动等),该MOSFET也可以发挥作用。 总结 FGH40N60UFTU凭借其高性能参数(如高击穿电压、低导通电阻和快速开关速度),广泛应用于需要高效率、高可靠性和低功耗的场景。它特别适合于高频开关和功率转换相关的应用,能够显著提升系统的整体性能。
参数 | 数值 |
25°C时Td(开/关)值 | 24ns/112ns |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
Current-CollectorPulsed(Icm) | 120A |
描述 | IGBT 600V 80A 290W TO247IGBT 晶体管 600V 40A Field Stop |
产品分类 | IGBT - 单路分离式半导体 |
GateCharge | 120nC |
IGBT类型 | 场截止 |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,IGBT 晶体管,Fairchild Semiconductor FGH40N60UFTU- |
数据手册 | |
产品型号 | FGH40N60UFTU |
PCN封装 | |
PCN组件/产地 | |
SwitchingEnergy | 1.19mJ (开), 460µJ (关) |
TestCondition | 400V, 40A, 10 欧姆, 15V |
不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 2.4V @ 15V,40A |
产品目录页面 | |
产品种类 | IGBT 晶体管 |
供应商器件封装 | TO-247 |
功率-最大值 | 290W |
包装 | 管件 |
单位重量 | 6.390 g |
反向恢复时间(trr) | - |
商标 | Fairchild Semiconductor |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-247-3 |
封装/箱体 | TO-247AB-3 |
工厂包装数量 | 30 |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
栅极/发射极最大电压 | +/- 20 V |
标准包装 | 30 |
电压-集射极击穿(最大值) | 600V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 80A |
系列 | FGH40N60 |
输入类型 | 标准 |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压VCEO | 600 V |
集电极最大连续电流Ic | 80 A |