ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 > FGH40N60SMDF
数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
+xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FGH40N60SMDF由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FGH40N60SMDF价格参考。Fairchild SemiconductorFGH40N60SMDF封装/规格:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单, IGBT Field Stop 600V 80A 349W Through Hole TO-247-3。您可以下载FGH40N60SMDF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FGH40N60SMDF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor的FGH40N60SMDF是一款MOSFET(金属氧化物场效应晶体管),属于单通道增强型N沟道功率MOSFET。该器件具有多种应用场景,尤其是在需要高效、可靠电力转换和控制的系统中。 主要应用场景: 1. 电源管理: - FGH40N60SMDF广泛应用于开关电源(SMPS)中,作为主开关管或同步整流管。其低导通电阻(Rds(on))有助于减少传导损耗,提高电源效率。 - 适用于DC-DC转换器、AC-DC适配器等设备,确保稳定的电压输出和高效的能量转换。 2. 电机驱动: - 在电机控制系统中,该MOSFET可以用于驱动直流电机、步进电机和无刷直流电机。其快速开关特性和低损耗特性使得电机运行更加平稳和高效。 - 适用于家电、工业自动化、电动工具等领域中的电机控制电路。 3. 逆变器和UPS系统: - 在不间断电源(UPS)和太阳能逆变器中,FGH40N60SMDF可以作为关键的功率开关元件。它能够承受高电压和大电流,确保在电网波动或断电时提供稳定的电力输出。 - 该器件的耐压能力(600V)使其适合于高压环境下的电力转换应用。 4. 汽车电子: - 在汽车电子系统中,如车载充电器、LED驱动器、车身控制系统等,FGH40N60SMDF可以提供可靠的电力控制和保护功能。 - 其紧凑的封装形式(TO-252/DPAK)有助于节省空间,满足汽车电子对小型化和高性能的要求。 5. 电池管理系统(BMS): - 在电池管理系统中,该MOSFET可以用于电池充放电控制、过流保护和短路保护等功能。其低导通电阻有助于减少发热,延长电池寿命。 总结: FGH40N60SMDF凭借其优异的电气性能和可靠性,在电源管理、电机驱动、逆变器、汽车电子和电池管理系统等多种应用场景中发挥着重要作用。其低导通电阻、快速开关速度和高耐压特性,使其成为高性能电力转换和控制的理想选择。
参数 | 数值 |
25°C时Td(开/关)值 | 12ns/92ns |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
Current-CollectorPulsed(Icm) | 120A |
描述 | IGBT 600V 80A 349W TO247IGBT 晶体管 600V/40A Field Stop IGBT ver. 2 |
产品分类 | IGBT - 单路分离式半导体 |
GateCharge | 119nC |
IGBT类型 | 场截止 |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,IGBT 晶体管,Fairchild Semiconductor FGH40N60SMDF- |
数据手册 | |
产品型号 | FGH40N60SMDF |
PCN封装 | |
PCN组件/产地 | |
SwitchingEnergy | 1.3mJ (开), 260µJ (关) |
TestCondition | 400V, 40A, 6 欧姆, 15V |
不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 2.5V @ 15V,40A |
产品种类 | IGBT 晶体管 |
供应商器件封装 | TO-247-3 |
功率-最大值 | 349W |
功率耗散 | 349 W |
包装 | 管件 |
单位重量 | 6.390 g |
反向恢复时间(trr) | 90ns |
商标 | Fairchild Semiconductor |
在25C的连续集电极电流 | 80 A |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-247-3 |
封装/箱体 | TO-247 |
工厂包装数量 | 150 |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
栅极/发射极最大电压 | 20 V |
栅极—射极漏泄电流 | 400 nA |
标准包装 | 30 |
电压-集射极击穿(最大值) | 600V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 80A |
系列 | FGH40N60 |
输入类型 | 标准 |
集电极—发射极最大电压VCEO | 600 V |
集电极—射极饱和电压 | 1.9 V |