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  • 型号: FGH40N60SMD
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
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FGH40N60SMD产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FGH40N60SMD由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FGH40N60SMD价格参考¥24.74-¥38.33。Fairchild SemiconductorFGH40N60SMD封装/规格:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单, IGBT Field Stop 600V 80A 349W Through Hole TO-247-3。您可以下载FGH40N60SMD参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FGH40N60SMD 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

ON Semiconductor的FGH40N60SMD是一款MOSFET(金属-氧化物-半导体场效应晶体管),属于单个晶体管类别。其应用场景非常广泛,尤其是在需要高效功率转换和控制的场合。

1. 电源管理:FGH40N60SMD常用于开关电源(SMPS)中,作为主开关器件。它能够快速切换高电压和大电流,从而实现高效的DC-DC转换。其低导通电阻(Rds(on))有助于减少传导损耗,提高整体效率。

2. 电机驱动:在电机控制应用中,这款MOSFET可以用来驱动直流电机、步进电机或无刷直流电机。它可以精确控制电机的速度和方向,同时提供过流保护功能,确保系统的稳定性和安全性。

3. 逆变器:在太阳能逆变器和其他类型的逆变器中,FGH40N60SMD用于将直流电转换为交流电。其高耐压(600V)特性使其能够承受逆变器中的高压环境,确保可靠运行。

4. 电动工具:电动工具如电钻、电锯等需要高效且耐用的功率开关。FGH40N60SMD的高击穿电压和低导通电阻使其成为这些工具的理想选择,能够在高负载条件下保持性能稳定。

5. 汽车电子:在汽车行业中,该MOSFET可用于各种车载系统,如电动助力转向(EPS)、空调压缩机控制和电池管理系统(BMS)。其紧凑的封装形式和优异的电气特性使得它在有限的空间内也能发挥出色表现。

6. 工业自动化:在工厂自动化设备中,FGH40N60SMD可用于驱动伺服电机、电磁阀等执行机构。它具备良好的热特性和抗干扰能力,适合恶劣的工业环境。

总之,ON Semiconductor的FGH40N60SMD凭借其出色的电气性能和可靠性,在众多领域中都有广泛应用,特别是在对功率密度和效率有较高要求的应用场景中表现尤为突出。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
25°C时Td(开/关)值

12ns/92ns

产品目录

分立半导体产品

Current-CollectorPulsed(Icm)

120A

描述

IGBT 600V 80A 349W TO-247-3IGBT 晶体管 600V, 40A Field Stop IGBT

产品分类

IGBT - 单路分离式半导体

GateCharge

119nC

IGBT类型

场截止

品牌

Fairchild Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,IGBT 晶体管,Fairchild Semiconductor FGH40N60SMD-

数据手册

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产品型号

FGH40N60SMD

PCN封装

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PCN组件/产地

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SwitchingEnergy

870µJ (开), 260µJ (关)

TestCondition

400V, 40A, 6 欧姆, 15V

不同 Vge、Ic时的 Vce(on)

2.5V @ 15V,40A

产品种类

IGBT 晶体管

供应商器件封装

TO-247

功率-最大值

349W

功率耗散

349 W

包装

管件

单位重量

6.390 g

反向恢复时间(trr)

36ns

商标

Fairchild Semiconductor

在25C的连续集电极电流

80 A

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-247-3

封装/箱体

TO-247

工厂包装数量

150

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

栅极—射极漏泄电流

+/- 400 nA

标准包装

30

电压-集射极击穿(最大值)

600V

电流-集电极(Ic)(最大值)

80A

系列

FGH40N60

输入类型

标准

集电极—射极饱和电压

2.1 V

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