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FGH40N60SFDTU产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FGH40N60SFDTU由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FGH40N60SFDTU价格参考。Fairchild SemiconductorFGH40N60SFDTU封装/规格:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单, IGBT Field Stop 600V 80A 290W Through Hole TO-247。您可以下载FGH40N60SFDTU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FGH40N60SFDTU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor的FGH40N60SFDTU是一款N沟道增强型MOSFET(金属-氧化物-半导体场效应晶体管),其主要应用场景包括但不限于以下几个方面: 1. 电源管理与转换:该型号的MOSFET适用于开关电源(SMPS)、直流-直流转换器、逆变器等电源管理系统。它能够高效地进行电压和电流的转换,提供稳定的输出,同时减少能量损耗。由于其低导通电阻(Rds(on))特性,能够在高频工作状态下保持较低的功耗。 2. 电机驱动:在工业自动化和消费电子领域中,MOSFET广泛用于控制电机的速度和方向。FGH40N60SFDTU可以用于无刷直流电机(BLDC)、步进电机和其他类型的电机驱动电路中,实现精确的电流控制和高效的能量传输。 3. 汽车电子:在现代汽车中,MOSFET被大量应用于车载充电系统、电池管理系统(BMS)、电动助力转向(EPS)、车身控制模块(BCM)等关键部位。这款器件具备良好的耐压性能(Vds=600V),能够在恶劣的工作环境中稳定运行,确保车辆电气系统的可靠性。 4. 家用电器:如空调、冰箱、洗衣机等大型家电内部的压缩机、风扇等部件也需要用到类似的功率器件来调节工作状态。此外,在一些小型便携式设备如电动工具、无人机等领域也有应用潜力。 5. 可再生能源系统:太阳能光伏逆变器、风力发电机并网控制器等绿色能源项目同样依赖于高性能的MOSFET来进行电力调节与分配。FGH40N60SFDTU凭借其优秀的电气参数,能够胜任这些任务,并有助于提高整个系统的效率。 总之,FGH40N60SFDTU凭借其出色的性能参数,适用于多种需要高效功率转换和控制的应用场景。
参数 | 数值 |
25°C时Td(开/关)值 | 25ns/115ns |
产品目录 | |
Current-CollectorPulsed(Icm) | 120A |
描述 | IGBT 600V 80A 290W TO247IGBT 晶体管 600V 40A Field Stop |
产品分类 | IGBT - 单路分离式半导体 |
GateCharge | 120nC |
IGBT类型 | 场截止 |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,IGBT 晶体管,Fairchild Semiconductor FGH40N60SFDTU- |
数据手册 | |
产品型号 | FGH40N60SFDTU |
PCN组件/产地 | |
SwitchingEnergy | 1.13mJ (开), 310µJ (关) |
TestCondition | 400V, 40A, 10 欧姆, 15V |
不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 2.9V @ 15V,40A |
产品目录页面 | |
产品种类 | IGBT 晶体管 |
供应商器件封装 | TO-247 |
功率-最大值 | 290W |
包装 | 管件 |
单位重量 | 6.390 g |
反向恢复时间(trr) | 45ns |
商标 | Fairchild Semiconductor |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-247-3 |
封装/箱体 | TO-247-3 |
工厂包装数量 | 150 |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
栅极/发射极最大电压 | +/- 20 V |
标准包装 | 30 |
电压-集射极击穿(最大值) | 600V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 80A |
系列 | FGH40N60 |
输入类型 | 标准 |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压VCEO | 600 V |
集电极最大连续电流Ic | 80 A |