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  • 型号: FGH20N60UFDTU
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FGH20N60UFDTU由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FGH20N60UFDTU价格参考。Fairchild SemiconductorFGH20N60UFDTU封装/规格:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单, IGBT Field Stop 600V 40A 165W Through Hole TO-247。您可以下载FGH20N60UFDTU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FGH20N60UFDTU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

ON Semiconductor的FGH20N60UFDTU是一款MOSFET(金属氧化物场效应晶体管),属于超低导通电阻沟槽式MOSFET (UGBT) 类别。这款器件广泛应用于需要高效能和高可靠性的电力电子设备中,具体应用场景包括但不限于以下几个方面:

1. 电源管理:该型号的MOSFET适用于开关模式电源(SMPS)、DC-DC转换器等电源管理系统。其低导通电阻特性有助于减少功率损耗,提高转换效率,特别适合于服务器、通信基站、工业自动化设备中的电源模块。

2. 电机驱动:在无刷直流电机(BLDC)驱动、步进电机控制等领域,FGH20N60UFDTU可以作为主控开关元件使用。它能够承受较高的电压和电流,确保电机运行稳定,并且具备快速切换能力以优化性能。

3. 太阳能逆变器:随着可再生能源的发展,太阳能光伏发电系统日益普及。此款MOSFET可用于光伏逆变器内的功率级电路,帮助实现高效的能量转换过程,从直流电到交流电的转变更为顺畅,同时降低热耗损。

4. 电动汽车与充电桩:在新能源汽车领域,无论是车载充电机(OBC)还是外部充电桩,都需要高效的功率半导体器件来处理大电流和高电压。FGH20N60UFDTU凭借其出色的电气参数,成为这些应用的理想选择之一。

5. 家电产品:现代家用电器如空调、洗衣机、冰箱等也越来越多地采用智能控制系统,其中包含复杂的电源管理和电机驱动部分。这款MOSFET能够为这些家电提供必要的电力支持,保证其正常运作并提升用户体验。

总之,ON Semiconductor的FGH20N60UFDTU由于其卓越的性能特点,在众多需要高效能电力传输及控制的应用场合表现出色。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
25°C时Td(开/关)值

13ns/87ns

产品目录

分立半导体产品半导体

Current-CollectorPulsed(Icm)

60A

描述

IGBT 600V 40A 165W TO247IGBT 晶体管 600V 20A Field Stop

产品分类

IGBT - 单路分离式半导体

GateCharge

63nC

IGBT类型

场截止

品牌

Fairchild Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,IGBT 晶体管,Fairchild Semiconductor FGH20N60UFDTU-

数据手册

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产品型号

FGH20N60UFDTU

PCN组件/产地

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SwitchingEnergy

380µJ (开), 260µJ (关)

TestCondition

400V, 20A, 10 欧姆, 15V

不同 Vge、Ic时的 Vce(on)

2.4V @ 15V,20A

产品目录页面

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产品种类

IGBT 晶体管

供应商器件封装

TO-247

功率-最大值

165W

包装

管件

单位重量

6.390 g

反向恢复时间(trr)

34ns

商标

Fairchild Semiconductor

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-247-3

封装/箱体

TO-247AB-3

工厂包装数量

150

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

栅极/发射极最大电压

+/- 20 V

标准包装

30

电压-集射极击穿(最大值)

600V

电流-集电极(Ic)(最大值)

40A

系列

FGH20N60

输入类型

标准

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

600 V

集电极最大连续电流Ic

40 A

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