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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FGH20N60UFDTU由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FGH20N60UFDTU价格参考。Fairchild SemiconductorFGH20N60UFDTU封装/规格:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单, IGBT Field Stop 600V 40A 165W Through Hole TO-247。您可以下载FGH20N60UFDTU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FGH20N60UFDTU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor的FGH20N60UFDTU是一款MOSFET(金属氧化物场效应晶体管),属于超低导通电阻沟槽式MOSFET (UGBT) 类别。这款器件广泛应用于需要高效能和高可靠性的电力电子设备中,具体应用场景包括但不限于以下几个方面: 1. 电源管理:该型号的MOSFET适用于开关模式电源(SMPS)、DC-DC转换器等电源管理系统。其低导通电阻特性有助于减少功率损耗,提高转换效率,特别适合于服务器、通信基站、工业自动化设备中的电源模块。 2. 电机驱动:在无刷直流电机(BLDC)驱动、步进电机控制等领域,FGH20N60UFDTU可以作为主控开关元件使用。它能够承受较高的电压和电流,确保电机运行稳定,并且具备快速切换能力以优化性能。 3. 太阳能逆变器:随着可再生能源的发展,太阳能光伏发电系统日益普及。此款MOSFET可用于光伏逆变器内的功率级电路,帮助实现高效的能量转换过程,从直流电到交流电的转变更为顺畅,同时降低热耗损。 4. 电动汽车与充电桩:在新能源汽车领域,无论是车载充电机(OBC)还是外部充电桩,都需要高效的功率半导体器件来处理大电流和高电压。FGH20N60UFDTU凭借其出色的电气参数,成为这些应用的理想选择之一。 5. 家电产品:现代家用电器如空调、洗衣机、冰箱等也越来越多地采用智能控制系统,其中包含复杂的电源管理和电机驱动部分。这款MOSFET能够为这些家电提供必要的电力支持,保证其正常运作并提升用户体验。 总之,ON Semiconductor的FGH20N60UFDTU由于其卓越的性能特点,在众多需要高效能电力传输及控制的应用场合表现出色。
参数 | 数值 |
25°C时Td(开/关)值 | 13ns/87ns |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
Current-CollectorPulsed(Icm) | 60A |
描述 | IGBT 600V 40A 165W TO247IGBT 晶体管 600V 20A Field Stop |
产品分类 | IGBT - 单路分离式半导体 |
GateCharge | 63nC |
IGBT类型 | 场截止 |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,IGBT 晶体管,Fairchild Semiconductor FGH20N60UFDTU- |
数据手册 | |
产品型号 | FGH20N60UFDTU |
PCN组件/产地 | |
SwitchingEnergy | 380µJ (开), 260µJ (关) |
TestCondition | 400V, 20A, 10 欧姆, 15V |
不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 2.4V @ 15V,20A |
产品目录页面 | |
产品种类 | IGBT 晶体管 |
供应商器件封装 | TO-247 |
功率-最大值 | 165W |
包装 | 管件 |
单位重量 | 6.390 g |
反向恢复时间(trr) | 34ns |
商标 | Fairchild Semiconductor |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-247-3 |
封装/箱体 | TO-247AB-3 |
工厂包装数量 | 150 |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
栅极/发射极最大电压 | +/- 20 V |
标准包装 | 30 |
电压-集射极击穿(最大值) | 600V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 40A |
系列 | FGH20N60 |
输入类型 | 标准 |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压VCEO | 600 V |
集电极最大连续电流Ic | 40 A |