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产品简介:
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参数 | 数值 |
25°C时Td(开/关)值 | 32ns/490ns |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
Current-CollectorPulsed(Icm) | 60A |
描述 | IGBT 1200V 30A 333W TO247-3IGBT 晶体管 1200V, 15A, Field Stop Trench IGBT |
产品分类 | IGBT - 单路分离式半导体 |
GateCharge | 128nC |
IGBT类型 | 沟道和场截止 |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,IGBT 晶体管,Fairchild Semiconductor FGH15T120SMD_F155- |
数据手册 | |
产品型号 | FGH15T120SMD_F155 |
SwitchingEnergy | 1.15mJ (开), 460µJ (关) |
TestCondition | 600V, 15A, 34 欧姆, 15V |
不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 2.4V @ 15V,15A |
产品种类 | IGBT 晶体管 |
供应商器件封装 | TO-247 |
功率-最大值 | 333W |
功率耗散 | 333 W |
包装 | 管件 |
单位重量 | 6.390 g |
反向恢复时间(trr) | 72ns |
商标 | Fairchild Semiconductor |
在25C的连续集电极电流 | 30 A |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-247-3 |
封装/箱体 | TO-247G03-3 |
工厂包装数量 | 30 |
最大工作温度 | + 175 C |
最小工作温度 | - 55 C |
栅极/发射极最大电压 | + /- 25 V |
栅极—射极漏泄电流 | 400 nA |
标准包装 | 30 |
电压-集射极击穿(最大值) | 1200V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 30A |
系列 | FGH15T120 |
输入类型 | 标准 |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压VCEO | 1200 V |
集电极—射极饱和电压 | 1.9 V |
集电极最大连续电流Ic | 15 A |