ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 > FGD4536TM
Datasheet下载- 型号： FGD4536TM
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FGD4536TM由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FGD4536TM价格参考。Fairchild SemiconductorFGD4536TM封装/规格：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单， IGBT Trench 360V 125W Surface Mount TO-252, (D-Pak)。您可以下载FGD4536TM参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FGD4536TM 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor的FGD4536TM是一款MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），属于超结MOSFET (Ultrafast Junction Barrier Schottky Transistor - UGBT) 类别，主要应用于高效率、高频开关电路中。以下是其典型应用场景： 1. 电源管理：FGD4536TM适用于各种开关电源（SMPS）设计，如AC-DC转换器、DC-DC转换器等。其低导通电阻（Rds(on)）和快速开关特性有助于提高电源转换效率，减少能量损耗，适用于笔记本电脑适配器、服务器电源、通信设备电源等领域。 2. 电机驱动：该器件可用于无刷直流电机（BLDC）驱动器和步进电机驱动器中，实现高效、可靠的电机控制。其快速开关速度和低导通电阻有助于降低发热，延长系统寿命，适用于家电、工业自动化、电动工具等应用。 3. 光伏逆变器：在太阳能光伏发电系统中，FGD4536TM可用于逆变器的设计，将直流电转换为交流电。其高效的开关性能和低损耗特性有助于提高逆变器的整体效率，确保太阳能系统的稳定运行。 4. 电动汽车（EV）与混合动力汽车（HEV）：FGD4536TM适用于车载充电器（OBC）、DC-DC转换器和牵引逆变器等关键组件，助力电动汽车实现高效能、低能耗的目标。其出色的热性能和可靠性能够应对严苛的工作环境。 5. 不间断电源（UPS）：在UPS系统中，FGD4536TM可以用于逆变器和电池充电电路，提供稳定的电力输出和高效的能量转换，确保在停电时关键设备的持续供电。 总之，FGD4536TM凭借其卓越的电气性能和可靠性，广泛应用于需要高效、快速响应的电力电子设备中，尤其适合对效率和散热有严格要求的应用场景。
| 参数 | 数值 |
| 25°C时Td（开/关）值 | - |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| Current-CollectorPulsed(Icm) | 220A |
| 描述 | IGBT 360V 125W DPAKIGBT 晶体管 360V PDP IGBT |
| 产品分类 | IGBT - 单路分离式半导体 |
| GateCharge | 47nC |
| IGBT类型 | 沟道 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,IGBT 晶体管,Fairchild Semiconductor FGD4536TM- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FGD4536TM |
| PCN封装 | |
| PCN组件/产地 | |
| SwitchingEnergy | - |
| TestCondition | - |
| 不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 1.8V @ 15V，50A |
| 产品种类 | IGBT 晶体管 |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 其它名称 | FGD4536TMCT |
| 功率-最大值 | 125W |
| 功率耗散 | 125 W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 单位重量 | 260.370 mg |
| 反向恢复时间(trr) | - |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 在25C的连续集电极电流 | 50 A |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 封装/箱体 | DPAK |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 栅极/发射极最大电压 | 30 V |
| 栅极—射极漏泄电流 | 400 nA |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 360V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | - |
| 系列 | FGD4536 |
| 输入类型 | 标准 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 360 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 1.59 V |
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