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  • 型号: FGD4536TM
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FGD4536TM由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FGD4536TM价格参考。Fairchild SemiconductorFGD4536TM封装/规格:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单, IGBT Trench 360V 125W Surface Mount TO-252, (D-Pak)。您可以下载FGD4536TM参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FGD4536TM 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
25°C时Td(开/关)值

-

产品目录

分立半导体产品半导体

Current-CollectorPulsed(Icm)

220A

描述

IGBT 360V 125W DPAKIGBT 晶体管 360V PDP IGBT

产品分类

IGBT - 单路分离式半导体

GateCharge

47nC

IGBT类型

沟道

品牌

Fairchild Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,IGBT 晶体管,Fairchild Semiconductor FGD4536TM-

数据手册

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产品型号

FGD4536TM

PCN封装

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PCN组件/产地

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SwitchingEnergy

-

TestCondition

-

不同 Vge、Ic时的 Vce(on)

1.8V @ 15V,50A

产品种类

IGBT 晶体管

供应商器件封装

D-Pak

其它名称

FGD4536TMCT

功率-最大值

125W

功率耗散

125 W

包装

剪切带 (CT)

单位重量

260.370 mg

反向恢复时间(trr)

-

商标

Fairchild Semiconductor

在25C的连续集电极电流

50 A

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63

封装/箱体

DPAK

工厂包装数量

2500

栅极/发射极最大电压

30 V

栅极—射极漏泄电流

400 nA

标准包装

1

电压-集射极击穿(最大值)

360V

电流-集电极(Ic)(最大值)

-

系列

FGD4536

输入类型

标准

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

360 V

集电极—射极饱和电压

1.59 V

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