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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FGD4536TM由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FGD4536TM价格参考。Fairchild SemiconductorFGD4536TM封装/规格:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单, IGBT Trench 360V 125W Surface Mount TO-252, (D-Pak)。您可以下载FGD4536TM参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FGD4536TM 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
25°C时Td(开/关)值 | - |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
Current-CollectorPulsed(Icm) | 220A |
描述 | IGBT 360V 125W DPAKIGBT 晶体管 360V PDP IGBT |
产品分类 | IGBT - 单路分离式半导体 |
GateCharge | 47nC |
IGBT类型 | 沟道 |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,IGBT 晶体管,Fairchild Semiconductor FGD4536TM- |
数据手册 | |
产品型号 | FGD4536TM |
PCN封装 | |
PCN组件/产地 | |
SwitchingEnergy | - |
TestCondition | - |
不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 1.8V @ 15V,50A |
产品种类 | IGBT 晶体管 |
供应商器件封装 | D-Pak |
其它名称 | FGD4536TMCT |
功率-最大值 | 125W |
功率耗散 | 125 W |
包装 | 剪切带 (CT) |
单位重量 | 260.370 mg |
反向恢复时间(trr) | - |
商标 | Fairchild Semiconductor |
在25C的连续集电极电流 | 50 A |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
封装/箱体 | DPAK |
工厂包装数量 | 2500 |
栅极/发射极最大电压 | 30 V |
栅极—射极漏泄电流 | 400 nA |
标准包装 | 1 |
电压-集射极击穿(最大值) | 360V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | - |
系列 | FGD4536 |
输入类型 | 标准 |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压VCEO | 360 V |
集电极—射极饱和电压 | 1.59 V |