ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 > FGB20N60SFD
Datasheet下载- 型号： FGB20N60SFD
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FGB20N60SFD由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FGB20N60SFD价格参考。Fairchild SemiconductorFGB20N60SFD封装/规格：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单， IGBT Field Stop 600V 40A 208W Surface Mount D²PAK。您可以下载FGB20N60SFD参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FGB20N60SFD 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor的FGB20N60SFD是一款MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），属于超低功耗沟道MOSFET (UGBT) 类别。其主要应用场景包括： 1. 开关电源（SMPS）：该型号MOSFET适用于各种开关电源设计，如AC-DC转换器、DC-DC转换器等。其低导通电阻（Rds(on)）和快速开关特性有助于提高效率，减少能量损耗。 2. 电机驱动：在电机控制应用中，FGB20N60SFD可用于驱动直流电机、步进电机或无刷直流电机。它能够承受高电压（600V）和大电流，确保稳定可靠的工作性能。 3. 逆变器：该器件适用于光伏逆变器和其他类型的逆变器电路，用于将直流电转换为交流电。其高压耐受能力和高效开关特性使其成为理想选择。 4. 电磁兼容性（EMI）滤波器：在电力电子设备中，FGB20N60SFD可以用于构建高效的EMI滤波器，帮助减少电磁干扰，确保系统符合相关标准。 5. 工业自动化：在工业控制系统中，该MOSFET可用于各种开关和控制电路，例如PLC（可编程逻辑控制器）、传感器接口等，提供可靠的信号传输和功率控制。 6. 汽车电子：尽管不是专门针对汽车应用设计，但FGB20N60SFD的高性能和可靠性使其也可用于某些车载电子设备，如电动助力转向系统（EPS）、车身控制模块（BCM）等。 7. 家用电器：在家电产品中，如洗衣机、空调、冰箱等，该MOSFET可用于驱动压缩机、风扇等关键部件，提升产品的能效比和使用寿命。 总之，FGB20N60SFD凭借其优异的电气参数和稳定性，在多种电力电子应用领域表现出色，特别是在需要高效、可靠功率转换和控制的场合。
| 参数 | 数值 |
| 25°C时Td（开/关）值 | 13ns/90ns |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| Current-CollectorPulsed(Icm) | 60A |
| 描述 | IGBT 600V 40A 208W D2PAKIGBT 晶体管 600V 20A Field Stop |
| 产品分类 | IGBT - 单路分离式半导体 |
| GateCharge | 65nC |
| IGBT类型 | 场截止 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,IGBT 晶体管,Fairchild Semiconductor FGB20N60SFD- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FGB20N60SFD |
| SwitchingEnergy | 370µJ （开）， 160µJ （关） |
| TestCondition | 400V, 20A, 10 欧姆, 15V |
| 不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 2.8V @ 15V，20A |
| 产品种类 | IGBT 晶体管 |
| 供应商器件封装 | TO-263（D2Pak） |
| 其它名称 | FGB20N60SFDCT |
| 功率-最大值 | 208W |
| 功率耗散 | 83 W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 单位重量 | 1.312 g |
| 反向恢复时间(trr) | 34ns |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 在25C的连续集电极电流 | 40 A |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 封装/箱体 | TO-263AB |
| 工厂包装数量 | 800 |
| 栅极/发射极最大电压 | 20 V |
| 栅极—射极漏泄电流 | 400 nA |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 600V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 40A |
| 系列 | FGB20N60SF |
| 输入类型 | 标准 |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 600 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 2.8 V |
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