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FGB20N60SF产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FGB20N60SF由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FGB20N60SF价格参考。Fairchild SemiconductorFGB20N60SF封装/规格:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单, IGBT Field Stop 600V 40A 208W Surface Mount D²PAK。您可以下载FGB20N60SF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FGB20N60SF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FGB20N60SF 是一款由 ON Semiconductor 生产的 MOSFET(金属氧化物场效应晶体管),属于 UGBT 系列,是一款单通道器件。这款 MOSFET 具有 600V 的击穿电压和 20A 的连续漏极电流能力,适用于多种高电压、大电流应用场景。 主要应用场景: 1. 电源管理: - 开关电源(SMPS):FGB20N60SF 可用于设计高效的开关电源,特别是在需要高电压隔离的应用中,如工业电源、服务器电源等。 - 不间断电源(UPS):该 MOSFET 能够在 UPS 系统中提供可靠的电力转换和保护功能,确保系统在断电时仍能正常工作。 2. 电机驱动: - 电动工具:FGB20N60SF 可用于电动工具中的电机驱动电路,提供高效、稳定的电流控制,确保工具在高负载下的性能。 - 家用电器:如空调、洗衣机等家电中的电机驱动部分,能够实现精确的速度控制和节能效果。 3. 逆变器: - 太阳能逆变器:该 MOSFET 可用于将直流电转换为交流电的逆变器电路中,适用于太阳能发电系统,帮助提高能量转换效率。 - 车载逆变器:在电动汽车或混合动力汽车中,FGB20N60SF 可用于将电池的直流电转换为交流电,驱动车辆的电机或其他设备。 4. 工业自动化: - 可编程逻辑控制器(PLC):在工业自动化系统中,MOSFET 可用于 PLC 的输出驱动电路,控制继电器、传感器等外围设备。 - 伺服驱动器:用于精密运动控制的伺服系统中,FGB20N60SF 能够提供快速响应和高精度的电流控制。 5. LED 驱动: - 高功率 LED 照明:在大功率 LED 照明应用中,该 MOSFET 可用于恒流驱动电路,确保 LED 在不同负载条件下保持稳定亮度。 总之,FGB20N60SF 凭借其高耐压、大电流的特点,广泛应用于各种电力电子设备中,特别适合需要高效、可靠电力转换和控制的场合。
参数 | 数值 |
25°C时Td(开/关)值 | 13ns/90ns |
产品目录 | |
Current-CollectorPulsed(Icm) | 60A |
描述 | IGBT 600V 40A 208W D2PAKIGBT 晶体管 600V, 20A Field Stop IGBT |
产品分类 | IGBT - 单路分离式半导体 |
GateCharge | 65nC |
IGBT类型 | 场截止 |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,IGBT 晶体管,Fairchild Semiconductor FGB20N60SF- |
数据手册 | |
产品型号 | FGB20N60SF |
PCN封装 | |
SwitchingEnergy | 370µJ (开), 160µJ (关) |
TestCondition | 400V, 20A, 10 欧姆, 15V |
不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 2.8V @ 15V,20A |
产品种类 | IGBT 晶体管 |
供应商器件封装 | TO-263(D2Pak) |
其它名称 | FGB20N60SFCT |
功率-最大值 | 208W |
功率耗散 | 208 W |
包装 | 剪切带 (CT) |
单位重量 | 1.312 g |
反向恢复时间(trr) | - |
商标 | Fairchild Semiconductor |
在25C的连续集电极电流 | 40 A |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
封装/箱体 | D2PAK |
工厂包装数量 | 800 |
栅极/发射极最大电压 | 20 V |
栅极—射极漏泄电流 | 400 nA |
标准包装 | 1 |
电压-集射极击穿(最大值) | 600V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 40A |
系列 | FGB20N60SF |
输入类型 | 标准 |
集电极—发射极最大电压VCEO | 600 V |
集电极—射极饱和电压 | 2.2 V |