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FGAF40N60UFTU产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FGAF40N60UFTU由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FGAF40N60UFTU价格参考。Fairchild SemiconductorFGAF40N60UFTU封装/规格:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单, IGBT 600V 40A 100W 通孔 TO-3PF。您可以下载FGAF40N60UFTU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FGAF40N60UFTU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
25°C时Td(开/关)值 | 15ns/65ns |
产品目录 | |
Current-CollectorPulsed(Icm) | 160A |
描述 | IGBT 600V 40A 100W TO3PFIGBT 晶体管 40A/600V/ IGBT |
产品分类 | IGBT - 单路分离式半导体 |
GateCharge | 77nC |
IGBT类型 | - |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,IGBT 晶体管,Fairchild Semiconductor FGAF40N60UFTU- |
数据手册 | |
产品型号 | FGAF40N60UFTU |
SwitchingEnergy | 470µJ (开), 130µJ (关) |
TestCondition | 300V, 20A, 10 欧姆, 15V |
不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 3V @ 15V,20A |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
产品种类 | IGBT 晶体管 |
供应商器件封装 | TO-3PF |
功率-最大值 | 100W |
功率耗散 | 100 W |
包装 | 管件 |
单位重量 | 7 g |
反向恢复时间(trr) | - |
商标 | Fairchild Semiconductor |
在25C的连续集电极电流 | 40 A |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | SC-94 |
封装/箱体 | TO-3PF-3 |
工厂包装数量 | 30 |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
栅极/发射极最大电压 | +/- 20 V |
栅极—射极漏泄电流 | 100 nA |
标准包装 | 30 |
电压-集射极击穿(最大值) | 600V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 40A |
系列 | FGAF40N60 |
输入类型 | 标准 |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压VCEO | 600 V |
集电极—射极饱和电压 | 3 V |
集电极最大连续电流Ic | 40 A |
零件号别名 | FGAF40N60UFTU_NL |