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  • 型号: FGAF40N60UFTU
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
数量阶梯 香港交货 国内含税
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FGAF40N60UFTU产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FGAF40N60UFTU由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FGAF40N60UFTU价格参考。Fairchild SemiconductorFGAF40N60UFTU封装/规格:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单, IGBT 600V 40A 100W 通孔 TO-3PF。您可以下载FGAF40N60UFTU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FGAF40N60UFTU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
25°C时Td(开/关)值

15ns/65ns

产品目录

分立半导体产品

Current-CollectorPulsed(Icm)

160A

描述

IGBT 600V 40A 100W TO3PFIGBT 晶体管 40A/600V/ IGBT

产品分类

IGBT - 单路分离式半导体

GateCharge

77nC

IGBT类型

-

品牌

Fairchild Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,IGBT 晶体管,Fairchild Semiconductor FGAF40N60UFTU-

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产品型号

FGAF40N60UFTU

SwitchingEnergy

470µJ (开), 130µJ (关)

TestCondition

300V, 20A, 10 欧姆, 15V

不同 Vge、Ic时的 Vce(on)

3V @ 15V,20A

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356

产品种类

IGBT 晶体管

供应商器件封装

TO-3PF

功率-最大值

100W

功率耗散

100 W

包装

管件

单位重量

7 g

反向恢复时间(trr)

-

商标

Fairchild Semiconductor

在25C的连续集电极电流

40 A

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

SC-94

封装/箱体

TO-3PF-3

工厂包装数量

30

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

栅极/发射极最大电压

+/- 20 V

栅极—射极漏泄电流

100 nA

标准包装

30

电压-集射极击穿(最大值)

600V

电流-集电极(Ic)(最大值)

40A

系列

FGAF40N60

输入类型

标准

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

600 V

集电极—射极饱和电压

3 V

集电极最大连续电流Ic

40 A

零件号别名

FGAF40N60UFTU_NL

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