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  • 型号: FGA70N30TTU
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
数量阶梯 香港交货 国内含税
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FGA70N30TTU由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FGA70N30TTU价格参考。Fairchild SemiconductorFGA70N30TTU封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FGA70N30TTU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FGA70N30TTU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
25°C时Td(开/关)值

-

产品目录

分立半导体产品半导体

Current-CollectorPulsed(Icm)

160A

描述

IGBT 300V 201W TO3PIGBT 晶体管 300V PDP

产品分类

IGBT - 单路分离式半导体

GateCharge

125nC

IGBT类型

沟道

品牌

Fairchild Semiconductor

产品手册

产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,IGBT 晶体管,Fairchild Semiconductor FGA70N30TTU-

数据手册

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产品型号

FGA70N30TTU

SwitchingEnergy

-

TestCondition

-

不同 Vge、Ic时的 Vce(on)

1.5V @ 15V,20A

产品种类

IGBT 晶体管

供应商器件封装

TO-3P

功率-最大值

201W

包装

管件

反向恢复时间(trr)

-

商标

Fairchild Semiconductor

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-3P-3,SC-65-3

封装/箱体

TO-3PN-3

工厂包装数量

30

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

栅极/发射极最大电压

+/- 30 V

标准包装

30

电压-集射极击穿(最大值)

300V

电流-集电极(Ic)(最大值)

-

系列

FGA70N30T

输入类型

标准

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

300 V

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