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Datasheet下载- 型号： FGA60N65SMD
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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FGA60N65SMD产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FGA60N65SMD由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FGA60N65SMD价格参考。Fairchild SemiconductorFGA60N65SMD封装/规格：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单， IGBT Field Stop 650V 120A 600W Through Hole TO-3PN。您可以下载FGA60N65SMD参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FGA60N65SMD 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor的FGA60N65SMD是一款MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），属于单个MOSFET类别。其主要应用场景如下： 1. 电源管理：该器件广泛应用于各种电源管理系统中，例如开关电源（SMPS）、直流-直流转换器、逆变器等。由于其低导通电阻和高击穿电压（650V），它能够在高压环境下高效工作，适用于工业电源、太阳能逆变器以及不间断电源（UPS）系统。 2. 电机驱动：在电机控制领域，FGA60N65SMD可以用于驱动步进电机、无刷直流电机（BLDC）和其他类型的电动机。其快速开关特性和低损耗特性使其成为高性能电机驱动的理想选择，尤其是在需要高效率和可靠性的应用中，如电动工具、家用电器和工业自动化设备。 3. 电动汽车与混合动力汽车：在电动汽车（EV）和混合动力汽车（HEV）中，这款MOSFET可用于车载充电器、电池管理系统（BMS）、牵引逆变器等关键部件。其耐高温性能和紧凑封装有助于提高系统的整体效率并减少热量产生，从而延长车辆续航里程。 4. 照明系统：对于LED照明应用，FGA60N65SMD可作为调光控制器或恒流源使用。凭借其出色的热稳定性和耐用性，它可以确保长时间稳定运行，并且能够承受恶劣的工作环境条件。 5. 消费电子及其他领域：此外，该型号还适用于笔记本电脑适配器、智能手机快充模块以及其他便携式电子产品中的功率调节电路。同时，在一些特殊场合如航空航天、军事装备等领域也有潜在的应用价值。 总之，FGA60N65SMD因其卓越的电气参数和可靠性，在众多需要高效能电力转换及控制的场景下展现出色表现。
| 参数 | 数值 |
| 25°C时Td（开/关）值 | 18ns/104ns |
| 产品目录 | |
| Current-CollectorPulsed(Icm) | 180A |
| 描述 | IGBT 650V 120A 600W TO3PIGBT 晶体管 650V, 60A Field Stop IGBT |
| 产品分类 | IGBT - 单路分离式半导体 |
| GateCharge | 189nC |
| IGBT类型 | 场截止 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,IGBT 晶体管,Fairchild Semiconductor FGA60N65SMD- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FGA60N65SMD |
| PCN设计/规格 | |
| SwitchingEnergy | 1.54mJ （开）， 450µJ （关） |
| TestCondition | 400V, 60A, 3 欧姆, 15V |
| 不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 2.5V @ 15V，60A |
| 产品种类 | IGBT 晶体管 |
| 供应商器件封装 | TO-3P |
| 其它名称 | FGA60N65SMD-ND |
| 功率-最大值 | 600W |
| 功率耗散 | 600 W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 6.401 g |
| 反向恢复时间(trr) | 47ns |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 在25C的连续集电极电流 | 120 A |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 封装/箱体 | TO-3PN |
| 工厂包装数量 | 30 |
| 栅极/发射极最大电压 | 20 V |
| 栅极—射极漏泄电流 | 400 nA |
| 标准包装 | 30 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 650V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 120A |
| 系列 | FGA60N65SMD |
| 输入类型 | 标准 |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 650 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 1.9 V |
