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FGA40N65SMD产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FGA40N65SMD由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FGA40N65SMD价格参考。Fairchild SemiconductorFGA40N65SMD封装/规格:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单, IGBT Field Stop 650V 80A 349W Through Hole TO-3PN。您可以下载FGA40N65SMD参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FGA40N65SMD 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
25°C时Td(开/关)值 | 12ns/92ns |
产品目录 | |
Current-CollectorPulsed(Icm) | 120A |
描述 | IGBT 650V 80A 349W TO3PIGBT 晶体管 650V, 40A Field Stop IGBT |
产品分类 | IGBT - 单路分离式半导体 |
GateCharge | 119nC |
IGBT类型 | 场截止 |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,IGBT 晶体管,Fairchild Semiconductor FGA40N65SMD- |
数据手册 | |
产品型号 | FGA40N65SMD |
PCN组件/产地 | |
PCN设计/规格 | |
SwitchingEnergy | 820µJ (开), 260µJ (关) |
TestCondition | 400V, 40A, 6 欧姆, 15V |
不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 2.5V @ 15V,40A |
产品种类 | IGBT 晶体管 |
供应商器件封装 | TO-3P |
其它名称 | FGA40N65SMD-ND |
功率-最大值 | 349W |
功率耗散 | 349 W |
包装 | 管件 |
单位重量 | 6.401 g |
反向恢复时间(trr) | 42ns |
商标 | Fairchild Semiconductor |
在25C的连续集电极电流 | 80 A |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-3P-3,SC-65-3 |
封装/箱体 | TO-3PN |
工厂包装数量 | 30 |
栅极/发射极最大电压 | 20 V |
栅极—射极漏泄电流 | 400 nA |
标准包装 | 30 |
电压-集射极击穿(最大值) | 650V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 80A |
系列 | FGA40N65SMD |
输入类型 | 标准 |
集电极—发射极最大电压VCEO | 650 V |
集电极—射极饱和电压 | 2.5 V |