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FGA30N120FTDTU产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FGA30N120FTDTU由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FGA30N120FTDTU价格参考。Fairchild SemiconductorFGA30N120FTDTU封装/规格:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单, IGBT Trench Field Stop 1200V 60A 339W Through Hole TO-3PN。您可以下载FGA30N120FTDTU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FGA30N120FTDTU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
25°C时Td(开/关)值 | - |
产品目录 | |
Current-CollectorPulsed(Icm) | 90A |
描述 | IGBT 1200V 60A 339W TO3PIGBT 晶体管 1200V 30A FS |
产品分类 | IGBT - 单路分离式半导体 |
GateCharge | 208nC |
IGBT类型 | 沟道和场截止 |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,IGBT 晶体管,Fairchild Semiconductor FGA30N120FTDTU- |
数据手册 | |
产品型号 | FGA30N120FTDTU |
PCN封装 | |
PCN设计/规格 | |
SwitchingEnergy | - |
TestCondition | - |
不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 2V @ 15V,30A |
产品目录页面 | |
产品种类 | IGBT 晶体管 |
供应商器件封装 | TO-3P |
功率-最大值 | 339W |
功率耗散 | 339 W |
包装 | 管件 |
单位重量 | 6.401 g |
反向恢复时间(trr) | 730ns |
商标 | Fairchild Semiconductor |
在25C的连续集电极电流 | 30 A |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-3P-3,SC-65-3 |
封装/箱体 | TO-3P-3 |
工厂包装数量 | 30 |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
栅极/发射极最大电压 | +/- 25 V |
标准包装 | 30 |
电压-集射极击穿(最大值) | 1200V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 60A |
系列 | FGA30N120FTDTU |
输入类型 | 标准 |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压VCEO | 1200 V |
集电极—射极饱和电压 | 2 V |
集电极最大连续电流Ic | 60 A |