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型号： FGA25N120FTD
制造商： Fairchild Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供FGA25N120FTD由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FGA25N120FTD价格参考。Fairchild SemiconductorFGA25N120FTD封装/规格：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单， IGBT Trench Field Stop 1200V 50A 313W Through Hole TO-3PN。您可以下载FGA25N120FTD参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FGA25N120FTD 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

ON Semiconductor的FGA25N120FTD是一款用于高压应用的N沟道MOSFET（金属氧化物场效应晶体管）。该型号属于超结MOSFET (Ultra Junction Field Effect Transistor, UJGT)，具有低导通电阻和快速开关特性，适用于多种电力电子设备中。以下是其主要应用场景：

 1. 电源管理
   FGA25N120FTD广泛应用于各种电源管理系统中，如开关模式电源（SMPS）、不间断电源（UPS）等。它能够高效地控制电流的开关，减少能量损耗，提高系统的整体效率。由于其高耐压（1200V）和低导通电阻（Rds(on)），能够在高压环境下稳定工作，特别适合于工业级和商业级电源设备。

 2. 电机驱动
   在电机驱动领域，尤其是大功率电机控制中，FGA25N120FTD可以用于逆变器电路中，实现对电机速度和方向的精确控制。它的快速开关特性和低损耗特性使得电机驱动系统更加高效、可靠，适用于电动车辆、工业自动化设备等场景。

 3. 太阳能逆变器
   太阳能光伏发电系统中的逆变器是将直流电转换为交流电的关键组件。FGA25N120FTD因其高耐压和低损耗特性，非常适合用于太阳能逆变器中的功率转换部分，确保能量转换过程中的高效性和稳定性，减少能量损失，延长设备寿命。

 4. 电动汽车（EV）和混合动力汽车（HEV）
   在电动汽车和混合动力汽车的动力系统中，FGA25N120FTD可用于电池管理系统（BMS）、DC-DC转换器以及电机控制器等关键部件。它能够承受高电压和大电流，确保车辆在复杂工况下的稳定运行，同时提高能源利用效率。

 5. 工业控制系统
   在工业控制系统中，如焊接机、激光切割机等设备，FGA25N120FTD可以用于功率放大和控制电路中，提供高效的电力传输和控制功能，确保设备在高负荷工作时的稳定性和安全性。

总之，FGA25N120FTD凭借其优异的电气性能和可靠性，成为高压、大功率应用场景中的理想选择。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
25°C时Td（开/关）值	48ns/210ns
产品目录	分立半导体产品
Current-CollectorPulsed(Icm)	75A
描述	IGBT 1200V 50A 313W TO3P
产品分类	IGBT - 单路
GateCharge	160nC
IGBT类型	沟道和场截止
品牌	Fairchild Semiconductor
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	FGA25N120FTD
PCN过时产品	点击此处下载产品Datasheet
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
SwitchingEnergy	340µJ （开）， 900µJ （关）
TestCondition	600V， 25A， 15欧姆， 15V
不同 Vge、Ic时的 Vce(on)	2V @ 15V，25A
产品目录页面	点击此处下载产品Datasheet
供应商器件封装	TO-3PN
功率-最大值	313W
包装	管件
反向恢复时间(trr)	770ns
安装类型	通孔
封装/外壳	TO-3P-3，SC-65-3
标准包装	30
电压-集射极击穿（最大值）	1200V
电流-集电极(Ic)（最大值）	50A
输入类型	标准