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产品简介:
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参数 | 数值 |
25°C时Td(开/关)值 | 50ns/190ns |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
Current-CollectorPulsed(Icm) | 90A |
描述 | IGBT 1200V 50A 312W TO3PIGBT 晶体管 Copak Discrete |
产品分类 | IGBT - 单路分离式半导体 |
GateCharge | 200nC |
IGBT类型 | NPT 和沟道 |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,IGBT 晶体管,Fairchild Semiconductor FGA25N120ANTDTU_F109- |
数据手册 | |
产品型号 | FGA25N120ANTDTU_F109 |
PCN封装 | |
PCN设计/规格 | |
SwitchingEnergy | 4.1mJ (开), 960µJ (关) |
TestCondition | 600V,25A,10 欧姆,15V |
不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 2.65V @ 15V, 50A |
产品种类 | IGBT 晶体管 |
供应商器件封装 | TO-3PN |
功率-最大值 | 312W |
包装 | 管件 |
单位重量 | 6.401 g |
反向恢复时间(trr) | 350ns |
商标 | Fairchild Semiconductor |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-3P-3,SC-65-3 |
封装/箱体 | TO-3PN-3 |
工厂包装数量 | 30 |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
栅极/发射极最大电压 | +/- 20 V |
标准包装 | 30 |
电压-集射极击穿(最大值) | 1200V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 50A |
系列 | FGA25N120ANTDTU |
输入类型 | 标准 |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压VCEO | 1200 V |
集电极最大连续电流Ic | 50 A |