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FGA25N120ANTDTU产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FGA25N120ANTDTU由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FGA25N120ANTDTU价格参考¥13.35-¥26.24。Fairchild SemiconductorFGA25N120ANTDTU封装/规格:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单, IGBT NPT and Trench 1200V 50A 312W Through Hole TO-3P。您可以下载FGA25N120ANTDTU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FGA25N120ANTDTU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor的FGA25N120ANTDTU是一款MOSFET(金属氧化物场效应晶体管),属于超结功率MOSFET(UGBT)系列。它具有低导通电阻和高开关速度,适用于多种电力电子应用场景。 主要参数: - 耐压:1200V - 连续漏极电流:25A(在25°C时) - 导通电阻:85mΩ(典型值,在Vgs=15V时) - 封装:TO-247 应用场景: 1. 工业电源 FGA25N120ANTDTU广泛应用于工业电源中,如不间断电源(UPS)、开关电源(SMPS)等。其高耐压和低导通电阻特性使其能够在高压环境下高效工作,减少能量损耗,提高电源转换效率。 2. 电机驱动 在电机驱动应用中,这款MOSFET可以用于逆变器电路,控制电机的转速和方向。其快速开关特性和低导通电阻有助于降低电机驱动系统的能耗,提升系统响应速度和稳定性。 3. 太阳能逆变器 太阳能逆变器是将直流电转换为交流电的关键设备。FGA25N120ANTDTU的高耐压和低导通电阻特性使其非常适合用于太阳能逆变器中的DC-AC转换电路,确保高效的能量传输并减少热量损失。 4. 电动汽车(EV)和混合动力汽车(HEV) 在电动汽车和混合动力汽车的电力管理系统中,这款MOSFET可以用于电池管理系统(BMS)、车载充电器(OBC)和电机控制器。其高可靠性和高效性能有助于延长电池寿命,提升车辆的整体性能。 5. 高频开关电源 在高频开关电源中,FGA25N120ANTDTU的快速开关特性和低导通电阻可以显著提高电源的转换效率,减少电磁干扰(EMI),并降低散热需求。 6. 焊接设备 焊接设备需要高电压和大电流的支持,FGA25N120ANTDTU的高耐压和大电流承载能力使其成为焊接电源的理想选择,能够提供稳定的输出,确保焊接质量。 总之,ON Semiconductor的FGA25N120ANTDTU凭借其优异的电气性能和可靠性,适用于各种需要高效功率转换和控制的应用场景,尤其在工业、能源和交通领域表现出色。
参数 | 数值 |
25°C时Td(开/关)值 | 50ns/190ns |
产品目录 | |
Current-CollectorPulsed(Icm) | 90A |
描述 | IGBT 1200V 50A 312W TO3PIGBT 晶体管 Copak Discrete |
产品分类 | IGBT - 单路分离式半导体 |
GateCharge | 200nC |
IGBT类型 | NPT 和沟道 |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,IGBT 晶体管,Fairchild Semiconductor FGA25N120ANTDTU- |
数据手册 | |
产品型号 | FGA25N120ANTDTU |
PCN设计/规格 | |
SwitchingEnergy | 4.1mJ (开), 960µJ (关) |
TestCondition | 600V,25A,10 欧姆,15V |
不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 2.65V @ 15V, 50A |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
产品目录页面 | |
产品种类 | IGBT 晶体管 |
供应商器件封装 | TO-3P |
其它名称 | FGA25N120ANTDTU_NL |
功率-最大值 | 312W |
功率耗散 | 312 W |
包装 | 管件 |
单位重量 | 6.401 g |
反向恢复时间(trr) | 350ns |
商标 | Fairchild Semiconductor |
在25C的连续集电极电流 | 50 A |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-3P-3,SC-65-3 |
封装/箱体 | TO-3P-3 |
工厂包装数量 | 30 |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
栅极/发射极最大电压 | +/- 20 V |
栅极—射极漏泄电流 | +/- 250 nA |
标准包装 | 30 |
电压-集射极击穿(最大值) | 1200V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 50A |
系列 | FGA25N120ANTDTU |
输入类型 | 标准 |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压VCEO | 1200 V |
集电极—射极饱和电压 | 2 V |
集电极最大连续电流Ic | 50 A |
零件号别名 | FGA25N120ANTDTU_NL |