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Datasheet下载- 型号： FGA25N120ANDTU
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FGA25N120ANDTU由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FGA25N120ANDTU价格参考。Fairchild SemiconductorFGA25N120ANDTU封装/规格：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单， IGBT NPT 1200V 40A 310W Through Hole TO-3P。您可以下载FGA25N120ANDTU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FGA25N120ANDTU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor的FGA25N120ANDTU是一款MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管），属于单通道增强型N沟道器件。其主要应用场景包括： 1. 电源管理：该MOSFET适用于各种电源转换和管理系统，如开关模式电源（SMPS）、DC-DC转换器、AC-DC适配器等。它能够高效地进行电压和电流的切换，确保电力传输的稳定性和效率。 2. 电机驱动：在工业自动化和消费电子领域，FGA25N120ANDTU可用于驱动小型电机或步进电机。其低导通电阻（Rds(on)）有助于减少功率损耗，提高电机控制的精度和响应速度。 3. 逆变器和变频器：该MOSFET适用于太阳能逆变器、风力发电系统以及家用电器中的变频控制器。通过快速开关特性，它可以实现高效的能量转换，同时降低电磁干扰（EMI）。 4. 电池管理系统（BMS）：在电动汽车（EV）和储能系统中，FGA25N120ANDTU可用于电池保护电路，防止过充、过放和短路等问题。其高耐压（1200V）特性使其能够在高压环境中可靠工作。 5. 照明系统：LED照明驱动器需要高效的功率开关，FGA25N120ANDTU可以满足这一需求，提供稳定的电流输出，延长灯具寿命并提高能效。 6. 通信设备：在电信基站和数据中心的电源模块中，该MOSFET可作为关键组件，确保电力供应的连续性和可靠性。 总之，FGA25N120ANDTU凭借其优异的电气性能和可靠性，在多种电力电子应用中表现出色，广泛应用于工业、消费、汽车和通信等领域。
| 参数 | 数值 |
| 25°C时Td（开/关）值 | 60ns/170ns |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| Current-CollectorPulsed(Icm) | 75A |
| 描述 | IGBT 1200V 40A 310W TO3P |
| 产品分类 | IGBT - 单路 |
| GateCharge | 200nC |
| IGBT类型 | NPT |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FGA25N120ANDTU |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| SwitchingEnergy | 4.8mJ （开）， 1mJ （关） |
| TestCondition | 600V，25A，10 欧姆，15V |
| 不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 3.2V @ 15V，25A |
| 供应商器件封装 | TO-3P |
| 功率-最大值 | 310W |
| 包装 | 管件 |
| 反向恢复时间(trr) | 350ns |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 标准包装 | 450 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 1200V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 40A |
| 输入类型 | 标准 |
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