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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FGA15N120FTDTU由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FGA15N120FTDTU价格参考。Fairchild SemiconductorFGA15N120FTDTU封装/规格:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单, IGBT Trench Field Stop 1200V 30A 220W Through Hole TO-3PN。您可以下载FGA15N120FTDTU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FGA15N120FTDTU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor的FGA15N120FTDTU是一款单通道MOSFET(金属氧化物场效应晶体管),属于超低功耗、高性能的功率器件。其主要应用场景集中在需要高效能和低损耗的电力转换及控制领域。 1. 工业应用: 该型号MOSFET广泛应用于工业自动化设备中,如电机驱动器、伺服控制器等。它能够提供高效的开关性能,减少能量损失,提升系统的整体效率。此外,在电源管理方面,它可以用于不间断电源(UPS)、直流-直流转换器以及逆变器等设备中,确保稳定可靠的电力供应。 2. 消费电子: 在消费电子产品里,例如笔记本电脑适配器、智能手机快充模块中也常见到它的身影。由于其具备快速响应特性和较低的导通电阻,可以有效降低发热并提高充电速度。 3. 汽车电子: 对于新能源汽车而言,这款MOSFET可用于车载充电系统(OBC)、DC/DC变换器以及电动助力转向系统(EPS)等关键部件。它有助于优化电池管理系统,延长续航里程,并支持更精确的速度控制。 4. 可再生能源: 在太阳能光伏逆变器和其他形式的可再生能源发电装置中,FGA15N120FTDTU可以帮助实现从直流到交流的高效转换,同时保持较小的体积和重量,便于安装与维护。 总之,这款MOSFET凭借其出色的电气特性,在多个行业中发挥着重要作用,特别是在那些对能效要求较高的场合下表现尤为突出。
参数 | 数值 |
25°C时Td(开/关)值 | - |
产品目录 | 分立半导体产品 |
Current-CollectorPulsed(Icm) | 45A |
描述 | IGBT 1200V 30A 220W TO3PN |
产品分类 | IGBT - 单路 |
GateCharge | 100nC |
IGBT类型 | 沟道和场截止 |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | FGA15N120FTDTU |
PCN过时产品 | |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
SwitchingEnergy | - |
TestCondition | - |
不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 2V @ 15V,15A |
产品目录页面 | |
供应商器件封装 | TO-3PN |
功率-最大值 | 220W |
包装 | 管件 |
反向恢复时间(trr) | 575ns |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-3P-3,SC-65-3 |
标准包装 | 30 |
电压-集射极击穿(最大值) | 1200V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 30A |
输入类型 | 标准 |