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  • 型号: FF400R12KE3
  • 制造商: Infineon
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
数量阶梯 香港交货 国内含税
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FF400R12KE3由Infineon设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FF400R12KE3价格参考。InfineonFF400R12KE3封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FF400R12KE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FF400R12KE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
品牌

Infineon Technologies

产品目录

半导体

描述

IGBT 模块 1200V 400A DUAL HALF BRIDGE

产品分类

分离式半导体

产品手册

http://www.infineon.com/cms/en/services/download.html?filename=%2Fdgdl%2FDS_FF400R12KE3_3_1.PDF%3FfolderId%3Ddb3a304312bae05f0112bd10dab60002%26fileId%3Ddb3a304314dca3890114f8e1326608ff&location=.en.product.findProductTypeByName.html_dgdl_DS_FF400R12KE3_3_1.PDF_folderId_db3a304312bae05f0112bd10dab60002_fileId_db3a304314dca3890114f8e1326608ff

产品图片

rohs

符合RoHS

产品系列

晶体管,IGBT 模块,Infineon Technologies FF400R12KE3

产品型号

FF400R12KE3

产品

IGBT Silicon Modules

产品种类

IGBT 模块

功率耗散

2000 W

商标

Infineon Technologies

在25C的连续集电极电流

580 A

安装风格

Screw

封装/箱体

62 mm

工厂包装数量

500

最大工作温度

+ 125 C

最小工作温度

- 40 C

栅极/发射极最大电压

20 V

栅极—射极漏泄电流

400 nA

配置

Dual

集电极—发射极最大电压VCEO

1200 V

集电极—射极饱和电压

2.15 V

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