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  • 型号: FDZ193P
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FDZ193P由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDZ193P价格参考。Fairchild SemiconductorFDZ193P封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FDZ193P参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDZ193P 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET P-CH 20V 3A 8-WLCSPMOSFET MFET-20V P-CH 1.7V PowerTrench WL-CSP

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平栅极,1.7V 驱动

FET类型

MOSFET P 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

3 A

Id-连续漏极电流

3 A

品牌

Fairchild Semiconductor

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDZ193PPowerTrench®

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产品型号

FDZ193P

Pd-PowerDissipation

1.5 W

Pd-功率耗散

1.5 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

66 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

66 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

- 20 V

Vds-漏源极击穿电压

- 20 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 12 V

Vgs-栅源极击穿电压

12 V

上升时间

10 ns

下降时间

10 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

1.5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

660pF @ 10V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

10nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

90 毫欧 @ 1A,4.5V

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

6-WLCSP

其它名称

FDZ193PTR

典型关闭延迟时间

28 ns

功率-最大值

900mW

包装

带卷 (TR)

单位重量

54 mg

商标

Fairchild Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

66 mOhms

封装

Reel

封装/外壳

6-UFBGA,WLCSP

封装/箱体

WLCSP-6 1x1.5

工厂包装数量

5000

晶体管极性

P-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

5,000

正向跨导-最小值

5.6 S

汲极/源极击穿电压

- 20 V

漏极连续电流

3 A

漏源极电压(Vdss)

20V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

3A (Ta)

系列

FDZ193P

通道模式

Enhancement

配置

Single Dual Drain Triple Source

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