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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FDZ193P由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDZ193P价格参考。Fairchild SemiconductorFDZ193P封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FDZ193P参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDZ193P 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET P-CH 20V 3A 8-WLCSPMOSFET MFET-20V P-CH 1.7V PowerTrench WL-CSP |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平栅极,1.7V 驱动 |
FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 3 A |
Id-连续漏极电流 | 3 A |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDZ193PPowerTrench® |
数据手册 | |
产品型号 | FDZ193P |
Pd-PowerDissipation | 1.5 W |
Pd-功率耗散 | 1.5 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 66 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 66 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 20 V |
Vds-漏源极击穿电压 | - 20 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 12 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 12 V |
上升时间 | 10 ns |
下降时间 | 10 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1.5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 660pF @ 10V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 10nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 90 毫欧 @ 1A,4.5V |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | 6-WLCSP |
其它名称 | FDZ193PTR |
典型关闭延迟时间 | 28 ns |
功率-最大值 | 900mW |
包装 | 带卷 (TR) |
单位重量 | 54 mg |
商标 | Fairchild Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
导通电阻 | 66 mOhms |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 6-UFBGA,WLCSP |
封装/箱体 | WLCSP-6 1x1.5 |
工厂包装数量 | 5000 |
晶体管极性 | P-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 5,000 |
正向跨导-最小值 | 5.6 S |
汲极/源极击穿电压 | - 20 V |
漏极连续电流 | 3 A |
漏源极电压(Vdss) | 20V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 3A (Ta) |
系列 | FDZ193P |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single Dual Drain Triple Source |