ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 单 > FDZ191P
数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
+xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
FDZ191P产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FDZ191P由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDZ191P价格参考。Fairchild SemiconductorFDZ191P封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 P 沟道 20V 3A(Ta) 1.9W(Ta) 6-WLCSP。您可以下载FDZ191P参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDZ191P 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDZ191P是ON Semiconductor(安森美半导体)生产的一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物场效应晶体管)。这款MOSFET具有低导通电阻、快速开关速度和高耐压等特性,适用于多种电力电子应用场景。以下是其主要应用场景的详细介绍: 1. 电源管理 FDZ191P常用于各种电源管理电路中,如DC-DC转换器、线性稳压器、电池充电器等。它可以在这些电路中充当开关元件,控制电流的通断,确保电源系统的高效运行。由于其低导通电阻(Rds(on)),可以减少功率损耗,提高转换效率。 2. 电机驱动 在电机驱动应用中,FDZ191P可以用作H桥或半桥电路中的开关器件,控制电机的正反转和速度调节。它的快速开关特性和高耐压能力使其能够在高频工作环境下保持稳定,适合用于小型直流电机、步进电机和无刷直流电机的驱动系统。 3. 负载开关 FDZ191P也广泛应用于负载开关电路中,用于控制不同负载的供电状态。它可以快速响应负载变化,保护下游电路免受过流、短路等故障的影响。此外,其低导通电阻有助于降低功耗,延长电池寿命。 4. LED驱动 在LED照明系统中,FDZ191P可以用作恒流源或PWM调光控制器的关键元件。通过精确控制电流,确保LED灯的亮度和色温稳定。其低导通电阻也有助于提高LED驱动器的效率,减少热量产生。 5. 工业自动化 在工业自动化领域,FDZ191P可用于PLC(可编程逻辑控制器)、传感器接口和执行器驱动等场合。它能够承受较大的电压波动和瞬态冲击,保证系统的可靠性和稳定性。 6. 消费电子产品 FDZ191P还常见于各种消费电子产品中,如智能手机、平板电脑、笔记本电脑等便携式设备。它用于电源管理和外围设备接口,提供高效的电源转换和保护功能。 总之,FDZ191P凭借其优异的电气性能和可靠性,成为许多电力电子应用的理想选择。无论是电源管理、电机驱动还是负载开关等领域,它都能发挥重要作用。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET P-CH 20V 3A 6WLCSPMOSFET -20V P-Channel 1.5V PwrTrh WL-CSP MOSFET |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平栅极,1.5V 驱动 |
FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 3 A |
Id-连续漏极电流 | 3 A |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDZ191PPowerTrench® |
数据手册 | |
产品型号 | FDZ191P |
Pd-PowerDissipation | 1.5 W |
Pd-功率耗散 | 1.5 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 67 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 67 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 20 V |
Vds-漏源极击穿电压 | - 20 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 8 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 8 V |
上升时间 | 10 ns |
下降时间 | 10 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1.5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 800pF @ 10V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 13nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 85 毫欧 @ 1A,4.5V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | 6-WLCSP |
其它名称 | FDZ191PTR |
典型关闭延迟时间 | 50 ns |
功率-最大值 | 900mW |
包装 | 带卷 (TR) |
单位重量 | 54 mg |
商标 | Fairchild Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 6-UFBGA,WLCSP |
封装/箱体 | WLCSP-6 1x1.5 |
工厂包装数量 | 5000 |
晶体管极性 | P-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 5,000 |
正向跨导-最小值 | 7 S |
漏源极电压(Vdss) | 20V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 3A (Ta) |
系列 | FDZ191P |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |