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Datasheet下载- 型号： FDZ1905PZ
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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FDZ1905PZ产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDZ1905PZ由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDZ1905PZ价格参考。Fairchild SemiconductorFDZ1905PZ封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列， 2 个 P 沟道（双） Mosfet 阵列 900mW 表面贴装 6-WLCSP（1.0x1.5）。您可以下载FDZ1905PZ参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDZ1905PZ 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET 2P-CH 6-WLCSPMOSFET -20V Common Drain PCh 1.5V PowerTrench |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 P 沟道（双） |
| Id-连续漏极电流 | - 3 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDZ1905PZPowerTrench® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FDZ1905PZ |
| Pd-PowerDissipation | 1500 mW |
| Pd-功率耗散 | 1.5 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 126 mOhms at 4.5 V |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 123 mOhms |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 8 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 8 V |
| 上升时间 | 36 ns |
| 下降时间 | 36 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 126 毫欧 @ 1A，4.5V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 6-WLCSP |
| 其它名称 | FDZ1905PZDKR |
| 典型关闭延迟时间 | 143 ns |
| 功率-最大值 | 900mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 单位重量 | 54 mg |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 126 mOhms at 4.5 V |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-UFBGA，WLCSP |
| 封装/箱体 | CSP-6 |
| 工厂包装数量 | 5000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | - |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | - |
| 系列 | FDZ1905PZ |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Dual Common Drain |
