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  • 型号: FDY301NZ
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
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FDY301NZ产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FDY301NZ由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDY301NZ价格参考。Fairchild SemiconductorFDY301NZ封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 20V 200mA(Ta) 625mW(Ta) SC-89-3。您可以下载FDY301NZ参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDY301NZ 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

FDY301NZ 是由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的单通道 MOSFET(金属氧化物场效应晶体管)。该器件属于 N 沟道增强型 MOSFET,具有低导通电阻和快速开关特性,适用于多种电力电子应用。

 主要应用场景:

1. 电源管理:
   - FDY301NZ 适用于各种开关电源(SMPS)设计,如 AC-DC 和 DC-DC 转换器。其低导通电阻(Rds(on))有助于减少传导损耗,提高效率。
   - 在笔记本电脑适配器、手机充电器等便携式设备的电源模块中,FDY301NZ 可用于同步整流,降低发热并延长电池寿命。

2. 电机驱动:
   - 该 MOSFET 适合用于小型直流电机和步进电机的驱动电路。其快速开关特性和低导通电阻可以有效控制电机的启动、停止和调速,同时减少能量损失。
   - 在电动工具、家用电器(如吸尘器、风扇等)中,FDY301NZ 可作为功率级元件,实现高效驱动。

3. 负载开关:
   - 在需要频繁切换负载电流的应用中,FDY301NZ 可作为负载开关使用。它能够快速响应控制信号,确保负载在开启和关闭时平稳过渡,避免过冲和振荡。
   - 常见于 USB 充电端口保护、多路电源切换等场景,提供可靠的电流路径控制。

4. 电池管理系统 (BMS):
   - 在锂电池和其他可充电电池组中,FDY301NZ 可用于电池充放电保护电路。它能够在检测到异常情况(如过压、过流或短路)时迅速切断电流,保护电池和相关电路的安全。
   - 同时,MOSFET 的低导通电阻也有助于减少电池内部的发热,延长电池寿命。

5. 逆变器和变频器:
   - FDY301NZ 可用于光伏逆变器和工业变频器中的功率转换部分。它能够承受较高的电压和电流波动,确保系统的稳定运行。
   - 在太阳能发电系统中,该 MOSFET 可帮助将直流电转换为交流电,提高能源利用率。

总之,FDY301NZ 凭借其优异的电气性能和可靠性,广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子等领域,特别是在需要高效功率转换和精确电流控制的场合。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 20V 200MA SC-89MOSFET 20V Sgl N-Chl 2.5V Spec PwrTrch MOSFET

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平栅极,2.5V 驱动

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

200 mA

Id-连续漏极电流

200 mA

品牌

Fairchild Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDY301NZPowerTrench®

数据手册

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产品型号

FDY301NZ

PCN设计/规格

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Pd-PowerDissipation

0.63 W

Pd-功率耗散

630 mW

RdsOn-Drain-SourceResistance

5 Ohms

RdsOn-漏源导通电阻

5 Ohms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

20 V

Vds-漏源极击穿电压

20 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 12 V

Vgs-栅源极击穿电压

12 V

上升时间

8 ns

下降时间

8 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

1.5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

60pF @ 10V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

1.1nC @ 4.5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

5 欧姆 @ 200mA,4.5V

产品目录页面

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

SC-89-3

其它名称

FDY301NZCT

典型关闭延迟时间

8 ns

功率-最大值

446mW

包装

剪切带 (CT)

单位重量

30 mg

商标

Fairchild Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

SC-89,SOT-490

封装/箱体

SC-89-6

工厂包装数量

3000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

正向跨导-最小值

1.1 S

漏源极电压(Vdss)

20V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

200mA (Ta)

系列

FDY301NZ

通道模式

Enhancement

配置

Single

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