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Datasheet下载- 型号： FDY102PZ
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDY102PZ由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDY102PZ价格参考。Fairchild SemiconductorFDY102PZ封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 P 沟道 20V 830mA（Ta） 625mW（Ta） SC-89-3。您可以下载FDY102PZ参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDY102PZ 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDY102PZ 是一款由 ON Semiconductor 生产的 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物场效应晶体管）。这款晶体管具有低导通电阻、快速开关速度和高电流处理能力，适用于多种电力电子应用场景。 应用场景： 1. 电源管理： - FDY102PZ 适用于各种电源管理系统，如开关模式电源（SMPS）、DC-DC 转换器和线性稳压器。其低导通电阻有助于减少功率损耗，提高效率。 2. 电机驱动： - 在电机驱动应用中，FDY102PZ 可用于控制电机的启动、停止和调速。其快速开关特性和高电流承载能力使其适合驱动中小型电机，如步进电机、无刷直流电机等。 3. 负载开关： - 作为负载开关，FDY102PZ 可以在电路中实现快速、可靠的通断控制。它能够有效地保护电路免受过流、短路等故障的影响，广泛应用于消费电子设备、工业控制系统等。 4. 电池管理系统（BMS）： - 在电池管理系统中，FDY102PZ 可用于电池充放电控制、电压监测和保护。其低导通电阻有助于减少电池内部发热，延长电池寿命。 5. LED 驱动： - FDY102PZ 可用于驱动 LED 照明系统，特别是在需要调光或恒流控制的应用中。其精确的电流控制能力可以确保 LED 的亮度稳定，同时提高能效。 6. 通信设备： - 在通信设备中，如基站、路由器等，FDY102PZ 可用于电源转换和信号调理电路。其快速开关特性和低噪声特性有助于提高通信系统的稳定性和可靠性。 7. 汽车电子： - 在汽车电子领域，FDY102PZ 可用于车载电源、电动助力转向系统（EPS）、车身控制模块（BCM）等。其高可靠性和耐高温性能使其能够在严苛的汽车环境中稳定工作。 总之，FDY102PZ 凭借其优异的电气性能和可靠性，广泛应用于各类电力电子设备中，特别适合对效率、响应速度和可靠性有较高要求的应用场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 20V 830MA SC89-3MOSFET -20V Sngle PCh -1.5V Specified PowerTrnch |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平栅极，1.5V 驱动 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 830 mA |
| Id-连续漏极电流 | 830 mA |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDY102PZPowerTrench® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FDY102PZ |
| Pd-PowerDissipation | 625 mW |
| Pd-功率耗散 | 625 mW |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 500 mOhms at 4.5 V |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 500 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 8 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 8 V |
| 上升时间 | 2.9 ns |
| 下降时间 | 2.9 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 135pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 3.1nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 500 毫欧 @ 830mA，4.5V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SC-89-3 |
| 其它名称 | FDY102PZCT |
| 典型关闭延迟时间 | 23 ns |
| 功率-最大值 | 446mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 单位重量 | 30 mg |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-89，SOT-490 |
| 封装/箱体 | SC-89-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 830mA （Ta） |
| 系列 | FDY102PZ |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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