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型号： FDY1002PZ
制造商： Fairchild Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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FDY1002PZ产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供FDY1002PZ由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDY1002PZ价格参考。Fairchild SemiconductorFDY1002PZ封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列， Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 830mA 446mW Surface Mount SOT-563F。您可以下载FDY1002PZ参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDY1002PZ 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
ChannelMode	Enhancement
描述	MOSFET P-CH DUAL 20V SC89-6MOSFET -20V DUAL P-CHAN POWERTRENCH
产品分类	FET - 阵列分离式半导体
FET功能	逻辑电平门
FET类型	2 个 P 沟道（双）
Id-ContinuousDrainCurrent	830 mA
Id-连续漏极电流	830 mA
品牌	Fairchild Semiconductor
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDY1002PZPowerTrench®
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	FDY1002PZ
Pd-PowerDissipation	625 mW
Pd-功率耗散	625 mW
RdsOn-Drain-SourceResistance	500 mOhms at 4.5 V
RdsOn-漏源导通电阻	500 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	20 V
Vds-漏源极击穿电压	- 20 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	+/- 8 V
Vgs-栅源极击穿电压	8 V
上升时间	2.9 ns
下降时间	2.9 ns
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	1V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	135pF @ 10V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	3.1nC @ 4.5V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	500 毫欧 @ 830mA，4.5V
产品目录页面	点击此处下载产品Datasheet
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	SC-89
其它名称	FDY1002PZTR
典型关闭延迟时间	23 ns
功率-最大值	446mW
包装	带卷（TR）
单位重量	32 mg
商标	Fairchild Semiconductor
安装类型	表面贴装
安装风格	SMD/SMT
封装	Reel
封装/外壳	SOT-563，SOT-666
封装/箱体	SC-89-6
工厂包装数量	3000
晶体管极性	P-Channel
最大工作温度	+ 150 C
最小工作温度	- 55 C
标准包装	3,000
漏源极电压(Vdss)	20V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	830mA
系列	FDY1002PZ
通道模式	Enhancement
配置	Dual