ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > FDW252P
Datasheet下载- 型号： FDW252P
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDW252P由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDW252P价格参考。Fairchild SemiconductorFDW252P封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 P 沟道 20V 8.8A（Ta） 1.3W（Ta） 8-TSSOP。您可以下载FDW252P参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDW252P 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor的FDW252P是一款P沟道MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），属于单晶体管类型。它具有低导通电阻、快速开关速度和高可靠性等优点，广泛应用于各种电源管理和信号切换场景中。以下是该型号的一些典型应用场景： 1. 电源管理： - 负载开关：在便携式设备如智能手机、平板电脑和笔记本电脑中，FDW252P可以用作负载开关，控制不同电路模块的供电状态，以实现节能和保护功能。 - DC-DC转换器：用于降压或升压型DC-DC转换器中的同步整流电路，提高效率并减少发热。 2. 电池管理系统： - 电池保护：在锂电池和其他可充电电池组中，FDW252P可以作为电池保护开关，防止过充、过放和短路等情况发生。 - 电量监测：配合电流检测电路，用于精确测量电池剩余电量，确保设备正常运行。 3. 电机驱动： - H桥驱动：在小型直流电机驱动应用中，如玩具车、家用电器等，FDW252P可以与其他N沟道MOSFET组成H桥结构，实现电机的正反转控制。 - PWM调速：通过脉宽调制（PWM）技术，调节电机转速，提供更精细的速度控制。 4. 信号切换与隔离： - 模拟开关：在音频设备、传感器接口等需要信号切换的场合，FDW252P可以作为高性能模拟开关，确保信号完整性。 - 热插拔保护：在网络通信设备、服务器等环境中，用于实现热插拔操作时的瞬态电流限制和电压箝位，保护系统免受损坏。 总之，FDW252P凭借其优异的电气性能和广泛的适用性，在消费电子、工业控制、汽车电子等多个领域都有着重要的应用价值。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 20V 8.8A 8-TSSOP |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FDW252P |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | PowerTrench® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 5045pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 66nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 12.5 毫欧 @ 8.8A，4.5V |
| 供应商器件封装 | 8-TSSOP |
| 功率-最大值 | 600mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 8.8A （Ta） |
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