ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 单 > FDV305N
数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
+xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FDV305N由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDV305N价格参考。Fairchild SemiconductorFDV305N封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 20V 900mA(Ta) 350mW(Ta) SOT-23。您可以下载FDV305N参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDV305N 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 20V 0.9A SOT-23MOSFET 20V N-Channel PowerTrench |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 900 mA |
Id-连续漏极电流 | 900 mA |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDV305NPowerTrench® |
数据手册 | |
产品型号 | FDV305N |
PCN封装 | |
PCN设计/规格 | |
Pd-PowerDissipation | 0.35 W |
Pd-功率耗散 | 350 mW |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 164 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 164 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 20 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 12 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 12 V |
上升时间 | 7 ns |
下降时间 | 7 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1.5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 109pF @ 10V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 1.5nC @ 4.5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 220 毫欧 @ 900mA,4.5V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | SOT-23 |
其它名称 | FDV305NDKR |
典型关闭延迟时间 | 8 ns |
功率-最大值 | 350mW |
包装 | Digi-Reel® |
单位重量 | 60 mg |
商标 | Fairchild Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
封装/箱体 | SOT-23-3 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
正向跨导-最小值 | 3 S |
漏源极电压(Vdss) | 20V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 900mA (Ta) |
系列 | FDV305N |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |
零件号别名 | FDV305N_NL |