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产品简介:
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参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET P-CH 25V 120MA SOT-23MOSFET Digital FET P-Ch |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 120 mA |
Id-连续漏极电流 | 120 mA |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDV302P_NB8V001- |
数据手册 | |
产品型号 | FDV302P_NB8V001 |
PCN封装 | |
Pd-PowerDissipation | 350 mW |
Pd-功率耗散 | 350 mW |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 10000 mOhms at 4.5 V |
RdsOn-漏源导通电阻 | 10 Ohms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 25 V |
Vds-漏源极击穿电压 | - 25 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 8 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 8 V |
上升时间 | 8 ns |
下降时间 | 8 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1.5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 11pF @ 10V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 0.31nC @ 4.5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 10 欧姆 @ 200mA,4.5V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | SOT-23 |
其它名称 | FDV302P_NB8V001CT |
典型关闭延迟时间 | 9 ns |
功率-最大值 | 350mW |
包装 | 剪切带 (CT) |
商标 | Fairchild Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
导通电阻 | 10000 mOhms at 4.5 V |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
封装/箱体 | SOT-23-3 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | P-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
汲极/源极击穿电压 | 25 V |
漏极连续电流 | 120 mA |
漏源极电压(Vdss) | 25V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 120mA (Ta) |
系列 | FDV302P |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |