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  • 型号: FDV302P_NB8V001
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FDV302P_NB8V001由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDV302P_NB8V001价格参考。Fairchild SemiconductorFDV302P_NB8V001封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FDV302P_NB8V001参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDV302P_NB8V001 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET P-CH 25V 120MA SOT-23MOSFET Digital FET P-Ch

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET P 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

120 mA

Id-连续漏极电流

120 mA

品牌

Fairchild Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDV302P_NB8V001-

数据手册

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产品型号

FDV302P_NB8V001

PCN封装

点击此处下载产品Datasheet

Pd-PowerDissipation

350 mW

Pd-功率耗散

350 mW

RdsOn-Drain-SourceResistance

10000 mOhms at 4.5 V

RdsOn-漏源导通电阻

10 Ohms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

25 V

Vds-漏源极击穿电压

- 25 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

8 V

Vgs-栅源极击穿电压

8 V

上升时间

8 ns

下降时间

8 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

1.5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

11pF @ 10V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

0.31nC @ 4.5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

10 欧姆 @ 200mA,4.5V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

SOT-23

其它名称

FDV302P_NB8V001CT

典型关闭延迟时间

9 ns

功率-最大值

350mW

包装

剪切带 (CT)

商标

Fairchild Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

10000 mOhms at 4.5 V

封装

Reel

封装/外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

封装/箱体

SOT-23-3

工厂包装数量

3000

晶体管极性

P-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

汲极/源极击穿电压

25 V

漏极连续电流

120 mA

漏源极电压(Vdss)

25V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

120mA (Ta)

系列

FDV302P

通道模式

Enhancement

配置

Single

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