【晶体管 - FET，MOSFET - 单_FDU7N60NZTU】封装/厂家_FDU7N60NZTU中文资料_价格

ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > FDU7N60NZTU

图片仅供参考

详细数据请看参考数据手册

型号： FDU7N60NZTU
制造商： Fairchild Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

查看当月历史价格

查看今年历史价格

FDU7N60NZTU产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供FDU7N60NZTU由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDU7N60NZTU价格参考。Fairchild SemiconductorFDU7N60NZTU封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单，通孔 N 沟道 600V 5.5A（Tc） 90W（Tc） I-PAK。您可以下载FDU7N60NZTU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDU7N60NZTU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET N-CH 600V SGL IPAKMOSFET N-Channel MOSFET 600V 5.5A 1.25Ohm
产品分类	FET - 单分离式半导体
FET功能	标准
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
Id-ContinuousDrainCurrent	5.5 A
Id-连续漏极电流	5.5 A
品牌	Fairchild Semiconductor
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDU7N60NZTUUniFET-II™
数据手册
产品型号	FDU7N60NZTU
PCN封装	点击此处下载产品Datasheet
Pd-PowerDissipation	90 W
Pd-功率耗散	90 W
RdsOn-Drain-SourceResistance	1.05 Ohms
RdsOn-漏源导通电阻	1.05 Ohms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	600 V
Vds-漏源极击穿电压	600 V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	730pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	17nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	1.25 欧姆 @ 2.75A，10V
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	TO-251
功率-最大值	90W
包装	管件
单位重量	343.080 mg
商标	Fairchild Semiconductor
安装类型	通孔
安装风格	Through Hole
封装	Tube
封装/外壳	TO-251-3 长引线，IPak，TO-251AB
封装/箱体	IPAK-3
工厂包装数量	70
晶体管极性	N-Channel
最大工作温度	+ 150 C
最小工作温度	- 55 C
标准包装	70
漏源极电压(Vdss)	600V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	5.5A （Tc）
系列	FDU7N60NZTU