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  • 型号: FDT86113LZ
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
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FDT86113LZ产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FDT86113LZ由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDT86113LZ价格参考。Fairchild SemiconductorFDT86113LZ封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 100V 3.3A(Tc) 2.2W(Ta) SOT-223-4。您可以下载FDT86113LZ参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDT86113LZ 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 100V 3.3A SOT223MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

3.3 A

Id-连续漏极电流

3.3 A

品牌

Fairchild Semiconductor

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDT86113LZPowerTrench®

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产品型号

FDT86113LZ

PCN组件/产地

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Pd-PowerDissipation

2.2 W

Pd-功率耗散

2.2 W

Qg-GateCharge

4.1 nC

Qg-栅极电荷

4.1 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

100 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

100 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

100 V

Vds-漏源极击穿电压

100 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

1.7 V

Vgsth-栅源极阈值电压

1.7 V

上升时间

1.3 ns

下降时间

1.5 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2.5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

315pF @ 50V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

6.8nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

100 毫欧 @ 3.3A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

SOT-223-4

其它名称

FDT86113LZ-ND
FDT86113LZTR

典型关闭延迟时间

10 ns

功率-最大值

1W

包装

带卷 (TR)

单位重量

250.200 mg

商标

Fairchild Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-261-4,TO-261AA

封装/箱体

SOT-223-3

工厂包装数量

4000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

4,000

正向跨导-最小值

8 S

漏源极电压(Vdss)

100V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

3.3A (Tc)

系列

FDT86113LZ

配置

Single

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