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FDT86113LZ产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FDT86113LZ由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDT86113LZ价格参考。Fairchild SemiconductorFDT86113LZ封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 100V 3.3A(Tc) 2.2W(Ta) SOT-223-4。您可以下载FDT86113LZ参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDT86113LZ 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | MOSFET N-CH 100V 3.3A SOT223MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 3.3 A |
Id-连续漏极电流 | 3.3 A |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDT86113LZPowerTrench® |
数据手册 | |
产品型号 | FDT86113LZ |
PCN组件/产地 | |
Pd-PowerDissipation | 2.2 W |
Pd-功率耗散 | 2.2 W |
Qg-GateCharge | 4.1 nC |
Qg-栅极电荷 | 4.1 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 100 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 100 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 1.7 V |
Vgsth-栅源极阈值电压 | 1.7 V |
上升时间 | 1.3 ns |
下降时间 | 1.5 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 315pF @ 50V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 6.8nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 100 毫欧 @ 3.3A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | SOT-223-4 |
其它名称 | FDT86113LZ-ND |
典型关闭延迟时间 | 10 ns |
功率-最大值 | 1W |
包装 | 带卷 (TR) |
单位重量 | 250.200 mg |
商标 | Fairchild Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-261-4,TO-261AA |
封装/箱体 | SOT-223-3 |
工厂包装数量 | 4000 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 4,000 |
正向跨导-最小值 | 8 S |
漏源极电压(Vdss) | 100V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 3.3A (Tc) |
系列 | FDT86113LZ |
配置 | Single |