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  • 型号: FDT458P
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
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FDT458P产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FDT458P由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDT458P价格参考。Fairchild SemiconductorFDT458P封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 P 沟道 30V 3.4A(Ta) 3W(Ta) SOT-223-4。您可以下载FDT458P参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDT458P 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

FDT458P 是由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的单通道 MOSFET(金属氧化物场效应晶体管),具体来说是一种 P 沟道增强型 MOSFET。该器件具有低导通电阻、快速开关速度和高可靠性等特点,适用于多种电力电子应用场合。

 应用场景:

1. 电源管理:
   - FDT458P 常用于直流-直流转换器(DC-DC Converter)中,作为开关元件来调节输出电压。它能够高效地控制电流的通断,从而实现稳定的电源输出。
   - 在线性稳压器(LDO)电路中,FDT458P 可以作为负载开关或旁路开关,帮助提高系统的效率并减少功耗。

2. 电机驱动:
   - 该器件适用于小型直流电机的驱动电路,特别是在需要频繁启停或调速的应用中。其低导通电阻特性可以降低发热,延长使用寿命。
   - 在步进电机或伺服电机控制系统中,FDT458P 可以用于电流限制和保护功能,确保电机在安全范围内运行。

3. 负载切换与保护:
   - 在便携式设备如手机、平板电脑等中,FDT458P 可作为负载开关使用,实现对不同负载的快速切换,同时提供过流、短路等保护功能。
   - 在汽车电子系统中,FDT458P 可用于电池管理系统中的负载切换和保护,确保车辆电气系统的稳定性和安全性。

4. 信号切换与隔离:
   - 在通信设备和工业控制系统中,FDT458P 可用于信号线路的切换和隔离,防止干扰和损坏敏感电路。
   - 它还可以用于音频放大器中的功率输出级,提供高效的信号传输和保护功能。

总之,FDT458P 凭借其优异的电气性能和可靠性,在各种电力电子应用中发挥着重要作用,特别适合于需要高效开关和保护功能的场合。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET P-CH 30V 3.4A SOT-223MOSFET 30V P-Ch PowerTrench

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET P 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

3.4 A

Id-连续漏极电流

3.4 A

品牌

Fairchild Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDT458PPowerTrench®

数据手册

点击此处下载产品Datasheet点击此处下载产品Datasheet

产品型号

FDT458P

Pd-PowerDissipation

3 W

Pd-功率耗散

3 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

130 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

130 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

- 30 V

Vds-漏源极击穿电压

- 30 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

12.5 ns

下降时间

2 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

3V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

205pF @ 15V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

3.5nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

130 毫欧 @ 3.4A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

SOT-223-4

其它名称

FDT458PCT

典型关闭延迟时间

11 ns

功率-最大值

1.1W

包装

剪切带 (CT)

单位重量

188 mg

商标

Fairchild Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-261-4,TO-261AA

封装/箱体

SOT-223-3

工厂包装数量

4000

晶体管极性

P-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

正向跨导-最小值

3 S

漏源极电压(Vdss)

30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

3.4A (Ta)

系列

FDT458

通道模式

Enhancement

配置

Single Dual Drain

零件号别名

FDT458P_NL

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