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Datasheet下载- 型号： FDT458P
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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FDT458P产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDT458P由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDT458P价格参考。Fairchild SemiconductorFDT458P封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 P 沟道 30V 3.4A（Ta） 3W（Ta） SOT-223-4。您可以下载FDT458P参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDT458P 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 30V 3.4A SOT-223MOSFET 30V P-Ch PowerTrench |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 3.4 A |
| Id-连续漏极电流 | 3.4 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDT458PPowerTrench® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FDT458P |
| Pd-PowerDissipation | 3 W |
| Pd-功率耗散 | 3 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 130 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 130 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 12.5 ns |
| 下降时间 | 2 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 205pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 3.5nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 130 毫欧 @ 3.4A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-223-4 |
| 其它名称 | FDT458PCT |
| 典型关闭延迟时间 | 11 ns |
| 功率-最大值 | 1.1W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 单位重量 | 188 mg |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
| 封装/箱体 | SOT-223-3 |
| 工厂包装数量 | 4000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 3 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 3.4A （Ta） |
| 系列 | FDT458 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single Dual Drain |
| 零件号别名 | FDT458P_NL |
