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FDT3N40TF产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FDT3N40TF由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDT3N40TF价格参考。Fairchild SemiconductorFDT3N40TF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 400V 2A(Tc) 2W(Tc) SOT-223-4。您可以下载FDT3N40TF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDT3N40TF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDT3N40TF 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的 N 沟道增强型 MOSFET,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单一类别。其主要应用场景包括: 1. 开关电源 (SMPS) FDT3N40TF 的高电压耐受能力(额定 VDS = 400V)使其非常适合用于开关电源中的高压开关应用,例如 AC-DC 转换器、DC-DC 转换器和功率因数校正 (PFC) 电路。 2. 电机驱动 该器件可用于低频电机驱动电路中,尤其是在需要承受较高电压的场景下,例如家用电器中的小型电机控制或工业设备中的电机启动电路。 3. 电磁继电器替代 在需要快速开关和长寿命的应用中,FDT3N40TF 可以替代传统的电磁继电器,用于负载切换,如照明系统、家电设备或汽车电子中的负载控制。 4. 保护电路 由于其高击穿电压和良好的热稳定性,FDT3N40TF 常被用于过压保护、过流保护以及负载短路保护等电路设计中。 5. 逆变器和 UPS 系统 在不间断电源 (UPS) 和逆变器中,该 MOSFET 可作为功率开关元件,用于将直流电转换为交流电,支持高效的能量转换。 6. 音频放大器 在某些高电压音频放大器设计中,FDT3N40TF 可用作输出级开关元件,提供稳定的功率输出。 7. 固态继电器 (SSR) 该器件可集成到固态继电器中,用于工业自动化、楼宇控制或其他需要无机械触点开关的应用。 8. 太阳能微逆变器 在小型太阳能发电系统中,FDT3N40TF 可用于微逆变器的功率开关部分,帮助实现高效的能量转换和管理。 总结来说,FDT3N40TF 凭借其高电压特性、较低的导通电阻和优秀的开关性能,广泛应用于电力电子领域,特别是在需要高压、高效开关的场景中表现优异。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | MOSFET N-CH 400V 2A SOT-223MOSFET 400V N-Chan UniFET |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 2 A |
Id-连续漏极电流 | 2 A |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDT3N40TFUniFET™ |
数据手册 | |
产品型号 | FDT3N40TF |
Pd-PowerDissipation | 2 W |
Pd-功率耗散 | 2 W |
Qg-GateCharge | 4.5 nC |
Qg-栅极电荷 | 4.5 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 2.8 Ohms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 2.8 Ohms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 400 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 400 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 5 V |
Vgsth-栅源极阈值电压 | 5 V |
上升时间 | 30 ns |
下降时间 | 25 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 225pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 6nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 3.4 欧姆 @ 1A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | SOT-223-4 |
其它名称 | FDT3N40TFDKR |
典型关闭延迟时间 | 10 ns |
功率-最大值 | 2W |
包装 | Digi-Reel® |
单位重量 | 188 mg |
商标 | Fairchild Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-261-4,TO-261AA |
封装/箱体 | SOT-223-3 |
工厂包装数量 | 4000 |
晶体管极性 | N-Channel |
标准包装 | 1 |
正向跨导-最小值 | 2 S |
漏源极电压(Vdss) | 400V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 2A (Tc) |
系列 | FDT3N40 |