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详细数据请看参考数据手册

型号： FDS9953A
制造商： Fairchild Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供FDS9953A由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDS9953A价格参考。Fairchild SemiconductorFDS9953A封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列， 2 个 P 沟道（双） Mosfet 阵列 30V 2.9A 900mW 表面贴装 8-SO。您可以下载FDS9953A参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDS9953A 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

FDS9953A是ON Semiconductor（安森美半导体）生产的一款晶体管，具体为FET（场效应晶体管）、MOSFET（金属氧化物场效应晶体管）阵列。这款器件具有多种应用场景，特别是在需要高效开关和功率管理的电路中表现出色。

 主要应用场景：

1. 电源管理系统：
   FDS9953A常用于DC-DC转换器、开关电源（SMPS）等电源管理应用中。其低导通电阻（Rds(on)）特性有助于减少传导损耗，提高转换效率，特别适用于笔记本电脑、平板电脑和其他便携式电子设备的电源管理模块。

2. 电池保护电路：
   在锂电池和其他类型的可充电电池中，FDS9953A可以作为电池保护电路中的关键元件。它能够快速响应过充、过放、过流等异常情况，切断电流路径，确保电池的安全性和延长使用寿命。

3. 电机驱动与控制：
   该器件适用于小型直流电机（如步进电机、无刷直流电机）的驱动和控制。通过精确控制MOSFET的开关状态，可以实现对电机速度、方向和扭矩的有效调节，广泛应用于消费电子、工业自动化和汽车电子领域。

4. 负载开关：
   在需要频繁切换负载通断的应用中，FDS9953A可以作为高效的负载开关使用。例如，在USB接口、无线充电器等设备中，它可以迅速接通或断开负载，同时保持低静态功耗，提升系统的整体性能。

5. 通信设备：
   在基站、路由器等通信设备中，FDS9953A可用于信号处理和电源管理部分，提供稳定可靠的开关功能，支持高速数据传输和低噪声要求。

6. 消费电子产品：
   包括智能手机、智能手表、智能家居设备等在内的消费电子产品中，FDS9953A凭借其紧凑的封装和优异的电气特性，成为众多设计工程师的理想选择。

总之，FDS9953A凭借其高性能、高可靠性和灵活性，广泛应用于各种电子设备中，特别是在需要高效能和小尺寸解决方案的情况下。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品半导体
ChannelMode	Enhancement
描述	MOSFET P-CH DUAL 30V 2.9A 8SOICMOSFET SO-8
产品分类	FET - 阵列分离式半导体
FET功能	逻辑电平门
FET类型	2 个 P 沟道（双）
Id-ContinuousDrainCurrent	2.9 A
Id-连续漏极电流	2.9 A
品牌	Fairchild Semiconductor
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDS9953APowerTrench®
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	FDS9953A
PCN设计/规格	点击此处下载产品Datasheet
Pd-PowerDissipation	2 W
Pd-功率耗散	2 W
RdsOn-Drain-SourceResistance	95 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻	95 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	- 30 V
Vds-漏源极击穿电压	- 30 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	+/- 25 V
Vgs-栅源极击穿电压	25 V
上升时间	13 ns
下降时间	2 ns
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	3V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	185pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	3.5nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	130 毫欧 @ 1A，10V
产品培训模块	http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	8-SO
其它名称	FDS9953ACT
典型关闭延迟时间	11 ns
功率-最大值	900mW
包装	剪切带（CT）
单位重量	187 mg
商标	Fairchild Semiconductor
安装类型	表面贴装
安装风格	SMD/SMT
封装	Reel
封装/外壳	8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
封装/箱体	SOIC-8 Narrow
工厂包装数量	2500
晶体管极性	P-Channel
最大工作温度	+ 150 C
最小工作温度	- 55 C
标准包装	1
正向跨导-最小值	4 S
漏源极电压(Vdss)	30V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	2.9A
系列	FDS9953
通道模式	Enhancement
配置	Dual Dual Drain
零件号别名	FDS9953A_NL