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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FDS9926A由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDS9926A价格参考。Fairchild SemiconductorFDS9926A封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列, 2 个 N 沟道(双) Mosfet 阵列 20V 6.5A 900mW 表面贴装 8-SO。您可以下载FDS9926A参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDS9926A 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH DUAL 20V 6.5A 8SOICMOSFET SO-8 SGL N-CH 2.5V |
产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | 2 个 N 沟道(双) |
Id-ContinuousDrainCurrent | 6.5 A |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDS9926APowerTrench® |
数据手册 | |
产品型号 | FDS9926A |
PCN设计/规格 | |
Pd-PowerDissipation | 2 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 30 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 10 V |
上升时间 | 9 ns |
下降时间 | 4 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1.5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 650pF @ 10V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 9nC @ 4.5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 30 毫欧 @ 6.5A,4.5V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | 8-SOIC N |
其它名称 | FDS9926ACT |
典型关闭延迟时间 | 15 ns |
功率-最大值 | 900mW |
包装 | 剪切带 (CT) |
单位重量 | 187 mg |
商标 | Fairchild Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
封装/箱体 | SOIC-8 Narrow |
工厂包装数量 | 2500 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
正向跨导-最小值 | 22 S |
漏源极电压(Vdss) | 20V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 6.5A |
系列 | FDS9926 |
配置 | Dual Dual Drain |
零件号别名 | FDS9926A_NL |