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  • 型号: FDS8960C
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FDS8960C由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDS8960C价格参考。Fairchild SemiconductorFDS8960C封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FDS8960C参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDS8960C 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N/P-CH DUAL 35V 8-SOICMOSFET 35V Dual N & P-Chl PwrTrnch #174 MOSFET

产品分类

FET - 阵列分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

N 和 P 沟道

Id-ContinuousDrainCurrent

7 A

Id-连续漏极电流

7 A

品牌

Fairchild Semiconductor

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDS8960CPowerTrench®

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产品型号

FDS8960C

Pd-PowerDissipation

2 W

Pd-功率耗散

2 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

24 mOhms at N Channel, 53 mOhms at P Channel

RdsOn-漏源导通电阻

24 mOhms, 53 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

+/- 35 V

Vds-漏源极击穿电压

35 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V, +/- 25 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V, 25 V

上升时间

5 ns, 16 ns

下降时间

3 ns, 5 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

3V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

570pF @ 15V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

7.7nC @ 5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

24 毫欧 @ 7A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356

产品目录页面

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

8-SOIC N

其它名称

FDS8960CDKR

典型关闭延迟时间

23 ns, 20 ns

功率-最大值

900mW

包装

Digi-Reel®

单位重量

187 mg

商标

Fairchild Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

封装/箱体

SOIC-8 Narrow

工厂包装数量

2500

晶体管极性

N and P-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

正向跨导-最小值

23 S, 9 S

漏源极电压(Vdss)

35V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

7A,5A

系列

FDS8960

通道模式

Enhancement

配置

Dual Dual Drain

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