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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FDS8960C由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDS8960C价格参考。Fairchild SemiconductorFDS8960C封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FDS8960C参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDS8960C 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N/P-CH DUAL 35V 8-SOICMOSFET 35V Dual N & P-Chl PwrTrnch #174 MOSFET |
产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | N 和 P 沟道 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 7 A |
Id-连续漏极电流 | 7 A |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDS8960CPowerTrench® |
数据手册 | |
产品型号 | FDS8960C |
Pd-PowerDissipation | 2 W |
Pd-功率耗散 | 2 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 24 mOhms at N Channel, 53 mOhms at P Channel |
RdsOn-漏源导通电阻 | 24 mOhms, 53 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | +/- 35 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 35 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V, +/- 25 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V, 25 V |
上升时间 | 5 ns, 16 ns |
下降时间 | 3 ns, 5 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 570pF @ 15V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 7.7nC @ 5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 24 毫欧 @ 7A,10V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | 8-SOIC N |
其它名称 | FDS8960CDKR |
典型关闭延迟时间 | 23 ns, 20 ns |
功率-最大值 | 900mW |
包装 | Digi-Reel® |
单位重量 | 187 mg |
商标 | Fairchild Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
封装/箱体 | SOIC-8 Narrow |
工厂包装数量 | 2500 |
晶体管极性 | N and P-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
正向跨导-最小值 | 23 S, 9 S |
漏源极电压(Vdss) | 35V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 7A,5A |
系列 | FDS8960 |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Dual Dual Drain |