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详细数据请看参考数据手册

型号： FDS8958B
制造商： Fairchild Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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FDS8958B产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供FDS8958B由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDS8958B价格参考。Fairchild SemiconductorFDS8958B封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列， N 和 P 沟道 Mosfet 阵列 30V 6.4A，4.5A 900mW 表面贴装 8-SO。您可以下载FDS8958B参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDS8958B 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

FDS8958B 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的双通道 N 沟道增强型 MOSFET 阵列，属于晶体管 - FET、MOSFET - 阵列类别。其主要应用场景包括：

1. 便携式电子设备：  
   FDS8958B 的低导通电阻（Rds(on)）和小封装尺寸使其非常适合用于手机、平板电脑、笔记本电脑等便携式设备中的负载开关、电源管理电路或电池保护电路。

2. 电源管理：  
   该器件适用于 DC-DC 转换器、降压/升压转换器以及线性稳压器中的功率开关，能够高效地控制电流流动并降低功耗。

3. 电机驱动：  
   在小型电机驱动应用中，例如消费类电子产品中的风扇、振动马达等，FDS8958B 可用作 H 桥或半桥驱动电路的一部分，提供高效的开关功能。

4. 负载切换与保护：  
   它可以作为负载开关使用，在系统启动、关闭或故障时快速切断负载电流，同时支持过流保护和短路保护功能。

5. 信号电平转换：  
   利用其低导通电阻特性，FDS8958B 可以实现不同电压电平之间的信号转换，适用于多电压系统的接口设计。

6. 音频设备：  
   在便携式音频播放器或耳机放大器中，该器件可用于功率输出级或音量控制电路，确保低失真和高效率。

7. 数据通信与网络设备：  
   用于以太网供电（PoE）、USB 充电端口或其他通信接口中的开关控制，满足高性能和紧凑设计需求。

总结来说，FDS8958B 凭借其出色的电气性能和小型化封装，广泛应用于需要高效开关、低功耗及节省空间的各类电子系统中，特别适合消费类电子产品、通信设备以及工业控制领域。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
ChannelMode	Enhancement
描述	MOSFET N/P-CH 30V TRENCH 8-SOICMOSFET 30V 6.4A Dual N&P Ch PowerTrench
产品分类	FET - 阵列分离式半导体
FET功能	逻辑电平门
FET类型	N 和 P 沟道
Id-ContinuousDrainCurrent	6.4 A
Id-连续漏极电流	6.4 A
品牌	Fairchild Semiconductor
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDS8958BPowerTrench®
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	FDS8958B
PCN组件/产地	点击此处下载产品Datasheet
Pd-PowerDissipation	1.6 W
Pd-功率耗散	1.6 W
RdsOn-Drain-SourceResistance	26 mOhms at N Channel, 51 mOhms at P Channel
RdsOn-漏源导通电阻	26 mOhms, 51 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	30 V
Vds-漏源极击穿电压	30 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	+/- 20 V, +/- 25 V
Vgs-栅源极击穿电压	20 V, 25 V
上升时间	2 nS, 6 nS
下降时间	2 nS, 6 nS
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	3V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	540pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	12nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	26 毫欧 @ 6.4A，10V
产品目录页面	点击此处下载产品Datasheet
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	8-SOIC N
其它名称	FDS8958BDKR
典型关闭延迟时间	12 nS, 17 nS
功率-最大值	900mW
包装	Digi-Reel®
单位重量	187 mg
商标	Fairchild Semiconductor
安装类型	表面贴装
安装风格	SMD/SMT
封装	Reel
封装/外壳	8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
封装/箱体	SOIC-8 Narrow
工厂包装数量	2500
晶体管极性	N and P-Channel
最大工作温度	+ 150 C
最小工作温度	- 55 C
标准包装	1
漏源极电压(Vdss)	30V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	6.4A，4.5A
系列	FDS8958
通道模式	Enhancement
配置	Dual Dual Drain