【晶体管 - FET，MOSFET - 阵列_FDS8958B】封装/厂家_FDS8958B中文资料_价格

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型号： FDS8958B
制造商： Fairchild Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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FDS8958B产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供FDS8958B由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDS8958B价格参考。Fairchild SemiconductorFDS8958B封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列， N 和 P 沟道 Mosfet 阵列 30V 6.4A，4.5A 900mW 表面贴装 8-SO。您可以下载FDS8958B参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDS8958B 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
ChannelMode	Enhancement
描述	MOSFET N/P-CH 30V TRENCH 8-SOICMOSFET 30V 6.4A Dual N&P Ch PowerTrench
产品分类	FET - 阵列分离式半导体
FET功能	逻辑电平门
FET类型	N 和 P 沟道
Id-ContinuousDrainCurrent	6.4 A
Id-连续漏极电流	6.4 A
品牌	Fairchild Semiconductor
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDS8958BPowerTrench®
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	FDS8958B
PCN组件/产地	点击此处下载产品Datasheet
Pd-PowerDissipation	1.6 W
Pd-功率耗散	1.6 W
RdsOn-Drain-SourceResistance	26 mOhms at N Channel, 51 mOhms at P Channel
RdsOn-漏源导通电阻	26 mOhms, 51 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	30 V
Vds-漏源极击穿电压	30 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	+/- 20 V, +/- 25 V
Vgs-栅源极击穿电压	20 V, 25 V
上升时间	2 nS, 6 nS
下降时间	2 nS, 6 nS
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	3V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	540pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	12nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	26 毫欧 @ 6.4A，10V
产品目录页面	点击此处下载产品Datasheet
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	8-SOIC N
其它名称	FDS8958BDKR
典型关闭延迟时间	12 nS, 17 nS
功率-最大值	900mW
包装	Digi-Reel®
单位重量	187 mg
商标	Fairchild Semiconductor
安装类型	表面贴装
安装风格	SMD/SMT
封装	Reel
封装/外壳	8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
封装/箱体	SOIC-8 Narrow
工厂包装数量	2500
晶体管极性	N and P-Channel
最大工作温度	+ 150 C
最小工作温度	- 55 C
标准包装	1
漏源极电压(Vdss)	30V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	6.4A，4.5A
系列	FDS8958
通道模式	Enhancement
配置	Dual Dual Drain