ICGOO在线商城 > FDS8958A_F085
图片仅供参考
详细数据请看参考数据手册
- 型号： FDS8958A_F085
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
FDS8958A_F085产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDS8958A_F085由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 提供FDS8958A_F085价格参考以及Fairchild SemiconductorFDS8958A_F085封装/规格参数等产品信息。 你可以下载FDS8958A_F085参考资料、Datasheet数据手册功能说明书， 资料中有FDS8958A_F085详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N/P-CH 30V 7A/5A 8SOICMOSFET SO8DUAL NCH & PCH POWER TRENCH MOSFET |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | N 和 P 沟道 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 7 A |
| Id-连续漏极电流 | 7 A, - 5 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDS8958A_F085PowerTrench® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FDS8958A_F085 |
| Pd-PowerDissipation | 2 W |
| Pd-功率耗散 | 2 W |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 0.028 Ohms, 0.052 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V, - 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 575pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 16nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 28 毫欧 @ 7A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 其它名称 | FDS8958A_F085DKR |
| 功率-最大值 | 900mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 单位重量 | 187 mg |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 封装/箱体 | SOIC-8 |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N and P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 25 S, 10 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 7A，5A |
| 系列 | FDS8958 |
| 配置 | Dual |
