ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 > FDS89161
数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
+xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FDS89161由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDS89161价格参考¥3.24-¥3.24。Fairchild SemiconductorFDS89161封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列, 2 个 N 沟道(双) Mosfet 阵列 100V 2.7A 1.6W 表面贴装 8-SO。您可以下载FDS89161参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDS89161 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDS89161 是由 ON Semiconductor(现为安森美半导体)生产的一款晶体管 - FET,MOSFET 阵列。该器件具有两个 N 沟道 MOSFET,广泛应用于各种电力管理和信号切换场景中。以下是其主要应用场景: 1. 电源管理 FDS89161 常用于电源管理电路中,特别是在需要高效开关的场合。它适用于 DC-DC 转换器、电压调节模块(VRM)、负载点转换器(POL)等应用。由于其低导通电阻(Rds(on)),可以有效减少功率损耗,提高转换效率。 2. 电池保护 在电池管理系统中,FDS89161 可以用于电池充放电控制和过流保护。通过快速响应电流变化,它可以防止电池过充或过放,确保电池的安全性和寿命。 3. 电机驱动 FDS89161 适用于小型直流电机或步进电机的驱动电路。它能够提供足够的电流驱动能力,同时具备快速开关特性,适合用于消费电子设备中的风扇、泵等小型电机控制。 4. 负载开关 在便携式设备如智能手机、平板电脑、笔记本电脑等中,FDS89161 可作为负载开关使用。它可以在系统待机或关机时切断负载电源,降低功耗,延长电池续航时间。 5. 信号切换 该器件还可以用于模拟和数字信号的切换,尤其是在多路复用器或选择器电路中。它的低栅极电荷特性使其能够在高频下进行快速切换,适用于高速数据传输或音频信号处理。 6. 汽车电子 在汽车电子领域,FDS89161 可用于车身控制系统、车窗升降器、座椅调节器等需要精确电流控制的应用。它能够在恶劣环境下保持稳定性能,满足汽车行业的严格要求。 7. 工业自动化 在工业自动化设备中,FDS89161 可用于传感器接口、继电器驱动、伺服电机控制等场合。它能够承受较大的电流波动,确保系统的可靠性和稳定性。 总之,FDS89161 凭借其出色的电气性能和可靠性,广泛应用于消费电子、汽车电子、工业自动化等多个领域,成为许多设计工程师的理想选择。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | MOSFET 2N-CH 100V 2.7A 8-SOICMOSFET 100V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET |
产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | 2 个 N 沟道(双) |
Id-ContinuousDrainCurrent | 2.7 A |
Id-连续漏极电流 | 2.7 A |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDS89161PowerTrench® |
数据手册 | |
产品型号 | FDS89161 |
Pd-PowerDissipation | 3.1 W |
Pd-功率耗散 | 3.1 W |
Qg-GateCharge | 1.7 nC |
Qg-栅极电荷 | 1.7 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 105 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 105 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 3 V |
Vgsth-栅源极阈值电压 | 3 V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 210pF @ 50V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 4.1nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 105 毫欧 @ 2.7A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | 8-SOIC N |
其它名称 | FDS89161TR |
功率-最大值 | 1.6W |
包装 | 带卷 (TR) |
单位重量 | 187 mg |
商标 | Fairchild Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
封装/箱体 | SO-8 |
工厂包装数量 | 2500 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 2,500 |
正向跨导-最小值 | 5 S |
漏源极电压(Vdss) | 100V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 2.7A |
系列 | FDS89161 |
配置 | Dual |