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FDS8880产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FDS8880由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDS8880价格参考。Fairchild SemiconductorFDS8880封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 30V 11.6A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO。您可以下载FDS8880参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDS8880 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDS8880 是由 ON Semiconductor 生产的 N 沟道增强型 MOSFET(金属氧化物场效应晶体管)。它广泛应用于需要高效、低损耗开关操作的电路中。以下是 FDS8880 的主要应用场景: 1. 电源管理 FDS8880 常用于各种电源管理应用中,例如 DC-DC 转换器、线性稳压器和开关模式电源 (SMPS)。其低导通电阻(Rds(on))特性使得它在这些应用中能够减少功率损耗,提高效率。此外,它的快速开关速度也有助于降低开关损耗,提升系统的整体性能。 2. 电机驱动 在电机驱动应用中,FDS8880 可以用作半桥或全桥电路中的开关元件。它能够承受较高的电流,并且具有较低的热阻,确保在高负载条件下仍能保持良好的散热性能。这种特性使其非常适合驱动小型直流电机、步进电机和无刷直流电机等。 3. 电池管理系统 FDS8880 还可以用于电池管理系统 (BMS) 中,作为电池充放电路径上的开关。它的低导通电阻有助于减少电池充放电过程中的能量损失,延长电池寿命。此外,它还可以用于过流保护和短路保护等安全功能。 4. 负载开关 在便携式电子设备(如智能手机、平板电脑和其他消费电子产品)中,FDS8880 常被用作负载开关。它可以快速响应负载变化,确保系统在不同工作状态下的稳定性和可靠性。其低静态电流特性也有助于延长设备的待机时间。 5. 信号切换 FDS8880 还可用于信号切换应用,例如在音频设备、通信设备和数据传输系统中。它能够实现高速、低噪声的信号切换,确保信号的完整性和传输质量。 总结 FDS8880 的低导通电阻、快速开关速度和出色的热性能使其成为多种应用场景的理想选择,特别是在需要高效、可靠开关操作的电路中。无论是电源管理、电机驱动还是电池管理系统,FDS8880 都能提供优异的性能表现。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 30V 11.6A 8SOICMOSFET 30V N-Ch PowerTrench MOSFET |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 11.6 A |
Id-连续漏极电流 | 11.6 A |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDS8880PowerTrench® |
数据手册 | |
产品型号 | FDS8880 |
PCN设计/规格 | |
Pd-PowerDissipation | 2.5 W |
Pd-功率耗散 | 2.5 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 10 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 10 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
上升时间 | 27 ns |
下降时间 | 15 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1235pF @ 15V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 30nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 10 毫欧 @ 11.6A,10V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | 8-SOIC N |
其它名称 | FDS8880CT |
典型关闭延迟时间 | 38 ns |
功率-最大值 | 2.5W |
包装 | 剪切带 (CT) |
单位重量 | 187 mg |
商标 | Fairchild Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
封装/箱体 | SOIC-8 Narrow |
工厂包装数量 | 2500 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 11.6A (Ta) |
系列 | FDS8880 |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single Quad Drain Triple Source |
零件号别名 | FDS8880_NL |