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Datasheet下载- 型号： FDS8858CZ
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDS8858CZ由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDS8858CZ价格参考。Fairchild SemiconductorFDS8858CZ封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列， N 和 P 沟道 Mosfet 阵列 30V 8.6A，7.3A 900mW 表面贴装 8-SO。您可以下载FDS8858CZ参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDS8858CZ 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDS8858CZ是由ON Semiconductor（现为安森美半导体）生产的一款MOSFET阵列晶体管。该器件主要用于低电压、高效率的电源管理和信号切换应用，适用于多种消费电子、工业控制及通信设备中。 具体应用场景如下： 1. 便携式电子产品：如智能手机、平板电脑、笔记本电脑等设备中的电源管理模块。FDS8858CZ可以用于DC-DC转换器、负载开关以及电池充电电路中，实现高效的电源转换和管理。 2. 电机驱动：在小型电机控制系统中，例如无人机、机器人、电动工具等，FDS8858CZ可用于控制电机的速度和方向，提供快速响应和精确控制。 3. 音频放大器：在便携式音响设备或耳机放大器中，作为功率级元件来放大音频信号，确保输出足够的音量同时保持良好的音质。 4. USB Type-C接口保护：随着USB Type-C接口的普及，对过电流和过电压保护的需求增加。FDS8858CZ可用于USB Type-C接口的保护电路中，防止因异常情况导致的损坏。 5. 工业自动化：在PLC（可编程逻辑控制器）、传感器接口、伺服驱动等领域，FDS8858CZ能够满足这些应用对于可靠性和稳定性的要求，帮助构建更加智能高效的工业系统。 6. 通信基站：在无线通信基础设施建设中，如4G/5G基站，FDS8858CZ可用于射频前端模块中的电源管理部分，支持更宽的工作温度范围和更高的性能指标。 总之，FDS8858CZ凭借其出色的电气特性，在众多需要高效能、小尺寸解决方案的应用场合表现出色，是现代电子产品设计中的理想选择之一。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET DUAL N/P-CHAN 30V SO-8MOSFET 30V Dual N & P-Ch PowerTrench MOSFET |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | N 和 P 沟道 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 8.6 A |
| Id-连续漏极电流 | 8.6 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDS8858CZPowerTrench® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FDS8858CZ |
| PCN组件/产地 | |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 1.6 W |
| Pd-功率耗散 | 1.6 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 17 mOhms at N Channel, 20.5 mOhms at P Channel |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 17 mOhms, 20.5 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V / - 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V, - 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V, +/- 25 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V, 25 V |
| 上升时间 | 3 ns, 10 ns |
| 下降时间 | 3 ns, 16 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1205pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 24nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 17 毫欧 @ 8.6A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 其它名称 | FDS8858CZDKR |
| 典型关闭延迟时间 | 19 ns, 33 ns |
| 功率-最大值 | 900mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 单位重量 | 187 mg |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 封装/箱体 | SOIC-8 |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N and P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 27 S / 21 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 8.6A，7.3A |
| 系列 | FDS8858 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Dual Dual Drain |
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