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  • 型号: FDS8690
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FDS8690由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDS8690价格参考。Fairchild SemiconductorFDS8690封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FDS8690参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDS8690 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOICMOSFET 30V 14A 7.6 OHM NCH POWER

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-连续漏极电流

14 A

品牌

Fairchild Semiconductor

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDS8690PowerTrench®

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产品型号

FDS8690

PCN设计/规格

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Pd-PowerDissipation

2.5 W

Pd-功率耗散

2.5 W

RdsOn-漏源导通电阻

6.3 mOhms

Vds-漏源极击穿电压

30 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

1.8 ns

下降时间

19 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

3V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1680pF @ 15V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

27nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

7.6 毫欧 @ 14A,10V

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

8-SOIC N

其它名称

FDS8690CT

典型关闭延迟时间

26 ns

功率-最大值

1W

包装

剪切带 (CT)

单位重量

143 mg

商标

Fairchild Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

6.3 mOhms

封装

Reel

封装/外壳

8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

封装/箱体

SOIC-8 Narrow

工厂包装数量

2500

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

汲极/源极击穿电压

30 V

漏极连续电流

14 A

漏源极电压(Vdss)

30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

14A (Ta)

系列

FDS8690

通道模式

Enhancement

配置

Single Quad Drain Triple Source

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