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  • 型号: FDS8672S
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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FDS8672S产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FDS8672S由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDS8672S价格参考。Fairchild SemiconductorFDS8672S封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 30V 18A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SOIC。您可以下载FDS8672S参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDS8672S 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOICMOSFET 30V N-Channel PowerTrench

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

18 A

Id-连续漏极电流

18 A

品牌

Fairchild Semiconductor

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDS8672SPowerTrench®, SyncFET™

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产品型号

FDS8672S

PCN设计/规格

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Pd-PowerDissipation

1000 mW

Pd-功率耗散

1 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

4.8 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

4.8 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

30 V

Vds-漏源极击穿电压

30 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

4 ns

下降时间

4 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

3V @ 1mA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

2670pF @ 15V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

41nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

4.8 毫欧 @ 18A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356

产品目录页面

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

8-SOIC N

其它名称

FDS8672SCT

典型关闭延迟时间

26 ns

功率-最大值

1W

包装

剪切带 (CT)

单位重量

187 mg

商标

Fairchild Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

封装/箱体

SOIC-8 Narrow

工厂包装数量

2500

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

18A (Ta)

系列

FDS8672

通道模式

Enhancement

配置

Single Quad Drain Triple Source

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