【晶体管 - FET，MOSFET - 单_FDS86242】封装/厂家_FDS86242中文资料_价格

ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > FDS86242

图片仅供参考

详细数据请看参考数据手册

型号： FDS86242
制造商： Fairchild Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

查看当月历史价格

查看今年历史价格

FDS86242产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供FDS86242由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDS86242价格参考。Fairchild SemiconductorFDS86242封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， N-Channel 150V 4.1A (Ta) 2.5W (Ta), 5W (Tc) Surface Mount 8-SOIC。您可以下载FDS86242参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDS86242 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET N-CH 150V 4.1A 8-SOICMOSFET 150V N-Channel PowerTrench MOSFET
产品分类	FET - 单分离式半导体
FET功能	标准
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
Id-ContinuousDrainCurrent	20 A
Id-连续漏极电流	20 A
品牌	Fairchild Semiconductor
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDS86242PowerTrench®
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	FDS86242
Pd-PowerDissipation	5 W
Pd-功率耗散	5 W
Qg-GateCharge	4.9 nC
Qg-栅极电荷	4.9 nC
RdsOn-Drain-SourceResistance	56.3 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻	56.3 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	150 V
Vds-漏源极击穿电压	150 V
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage	4 V
Vgsth-栅源极阈值电压	4 V
上升时间	10 ns
下降时间	10 ns
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	760pF @ 75V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	13nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	67 毫欧 @ 4.1A，10V
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	8-SOIC N
其它名称	FDS86242DKR
典型关闭延迟时间	23 ns
功率-最大值	2.5W
包装	Digi-Reel®
单位重量	187 mg
商标	Fairchild Semiconductor
安装类型	表面贴装
安装风格	SMD/SMT
封装	Reel
封装/外壳	8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
封装/箱体	SO-8
工厂包装数量	2500
晶体管极性	N-Channel
最大工作温度	+ 150 C
最小工作温度	- 55 C
标准包装	1
正向跨导-最小值	11 S
漏源极电压(Vdss)	150V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	4.1A （Ta）
系列	FDS86242
配置	Single