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  • 型号: FDS86106
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
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FDS86106产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FDS86106由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDS86106价格参考。Fairchild SemiconductorFDS86106封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 100V 3.4A(Ta) 5W(Ta) 8-SOIC。您可以下载FDS86106参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDS86106 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 100V 3.4A 8-SOICMOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

3.4 A

Id-连续漏极电流

3.4 A

品牌

Fairchild Semiconductor

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDS86106PowerTrench®

数据手册

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产品型号

FDS86106

Pd-PowerDissipation

5 W

Pd-功率耗散

5 W

Qg-GateCharge

3 nC

Qg-栅极电荷

3 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

83 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

83 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

100 V

Vds-漏源极击穿电压

100 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

4 V

Vgsth-栅源极阈值电压

4 V

上升时间

10 ns

下降时间

10 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

208pF @ 50V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

4nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

105 毫欧 @ 3.4A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

8-SOIC N

其它名称

FDS86106DKR

典型关闭延迟时间

15 ns

功率-最大值

2.5W

包装

Digi-Reel®

单位重量

187 mg

商标

Fairchild Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

封装/箱体

SO-8

工厂包装数量

2500

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

正向跨导-最小值

6 S

漏源极电压(Vdss)

100V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

3.4A (Ta)

系列

FDS86106

配置

Single

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