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产品简介:
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参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8SOICMOSFET N-CHANNEL MOSFET |
产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | 2 个 N 沟道(双) |
Id-ContinuousDrainCurrent | 9.4 A |
Id-连续漏极电流 | 9.4 A |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDS6898AZ_F085PowerTrench® |
数据手册 | |
产品型号 | FDS6898AZ_F085 |
Pd-PowerDissipation | 2 W |
Pd-功率耗散 | 2 W |
Qg-GateCharge | 16 nC |
Qg-栅极电荷 | 16 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 14 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 14 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 20 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 12 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 12 V |
上升时间 | 15 ns |
下降时间 | 16 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1.5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1821pF @ 10V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 23nC @ 4.5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 14 毫欧 @ 9.4A,4.5V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | 8-SO |
其它名称 | FDS6898AZ_F085TR |
典型关闭延迟时间 | 34 ns |
功率-最大值 | 900mW |
包装 | 带卷 (TR) |
单位重量 | 187 mg |
商标 | Fairchild Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
封装/箱体 | SO-8-8 |
工厂包装数量 | 2500 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 2,500 |
正向跨导-最小值 | 47 S |
漏源极电压(Vdss) | 20V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 9.4A |
系列 | FDS6898A |
配置 | Dual |