ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 > FDS6898A
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Datasheet下载- 型号： FDS6898A
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDS6898A由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDS6898A价格参考。Fairchild SemiconductorFDS6898A封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列， 2 个 N 沟道（双） Mosfet 阵列 20V 9.4A 900mW 表面贴装 8-SO。您可以下载FDS6898A参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDS6898A 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDS6898A 是由 ON Semiconductor 生产的晶体管 - FET，MOSFET - 阵列类型的产品。该器件具有多种应用场景，尤其是在需要高效功率管理与信号切换的场合中表现突出。 1. 电源管理系统：FDS6898A 常用于笔记本电脑、平板电脑以及其他便携式电子设备的电源管理系统中。它可以作为开关元件，在DC-DC转换器中实现高效的电压调节，确保系统在不同负载条件下都能获得稳定的供电。 2. 电机控制：在小型电机驱动电路中，如无人机、智能家居设备（智能锁、扫地机器人等）内的无刷直流电机控制器里，FDS6898A 能够精确控制电流流向，提高电机效率并减少能耗。 3. 消费类电子产品：例如智能手机和平板电视内部的背光驱动电路中，FDS6898A 可以用来快速切换LED灯串的导通状态，从而实现亮度调节功能。此外，在USB充电接口保护电路中也有应用，防止过流损坏其他组件。 4. 工业自动化领域：包括可编程逻辑控制器(PLC)、伺服驱动器等设备中的信号隔离和传输部分，利用其低导通电阻特性来降低功耗，同时提供良好的热稳定性。 5. 汽车电子系统：随着电动汽车的发展，FDS6898A 在车载充电器、电池管理系统(BMS)等方面也有所应用，帮助优化能量回收机制，提升整车性能。 总之，FDS6898A 凭借其优异的电气性能和可靠性，在众多领域都扮演着重要角色，成为现代电子产品不可或缺的关键元器件之一。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8SOICMOSFET SO-8 |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 9.4 A |
| Id-连续漏极电流 | 9.4 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDS6898APowerTrench® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FDS6898A |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 2 W |
| Pd-功率耗散 | 2 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 14 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 14 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 12 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 12 V |
| 上升时间 | 15 ns |
| 下降时间 | 16 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1821pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 23nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 14 毫欧 @ 9.4A，4.5V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC N |
| 其它名称 | FDS6898ATR |
| 典型关闭延迟时间 | 34 ns |
| 功率-最大值 | 900mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 单位重量 | 187 mg |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 封装/箱体 | SOIC-8 Narrow |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 2,500 |
| 正向跨导-最小值 | 47 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 9.4A |
| 系列 | FDS6898A |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Dual Dual Drain |
| 零件号别名 | FDS6898A_NL |
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