【晶体管 - FET，MOSFET - 单_FDS6680A】封装/厂家_FDS6680A中文资料_价格

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详细数据请看参考数据手册

型号： FDS6680A
制造商： Fairchild Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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FDS6680A产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供FDS6680A由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDS6680A价格参考￥4.02-￥4.02。Fairchild SemiconductorFDS6680A封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， N-Channel 30V 12.5A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC。您可以下载FDS6680A参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDS6680A 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
ChannelMode	Enhancement
描述	MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-SOICMOSFET SO-8 SGL N-CH 30V
产品分类	FET - 单分离式半导体
FET功能	逻辑电平门
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
Id-ContinuousDrainCurrent	12.5 A
Id-连续漏极电流	12.5 A
品牌	Fairchild Semiconductor
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDS6680APowerTrench®
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	FDS6680A
PCN设计/规格	点击此处下载产品Datasheet
Pd-PowerDissipation	2.5 W
Pd-功率耗散	2.5 W
RdsOn-Drain-SourceResistance	9.5 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻	9.5 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	30 V
Vds-漏源极击穿电压	30 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	+/- 20 V
Vgs-栅源极击穿电压	20 V
上升时间	5 ns
下降时间	15 ns
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	3V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	1620pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	23nC @ 5V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	9.5 毫欧 @ 12.5A，10V
产品培训模块	http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=6736
产品目录页面	点击此处下载产品Datasheet
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	8-SOIC N
其它名称	FDS6680ACT
典型关闭延迟时间	27 ns
功率-最大值	1W
包装	剪切带（CT）
单位重量	187 mg
商标	Fairchild Semiconductor
安装类型	表面贴装
安装风格	SMD/SMT
封装	Reel
封装/外壳	8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
封装/箱体	SOIC-8 Narrow
工厂包装数量	2500
晶体管极性	N-Channel
最大工作温度	+ 150 C
最小工作温度	- 55 C
标准包装	1
正向跨导-最小值	64 S
漏源极电压(Vdss)	30V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	12.5A （Ta）
系列	FDS6680
通道模式	Enhancement
配置	Single Quad Drain Triple Source
零件号别名	FDS6680A_NL