Datasheet下载- 型号： FDS4501H
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDS4501H由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDS4501H价格参考。Fairchild SemiconductorFDS4501H封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FDS4501H参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDS4501H 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N/P-CH 30/20V 8SOICMOSFET SO-8 COMP N-P-CH |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | N 和 P 沟道 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 9.3 A |
| Id-连续漏极电流 | 9.3 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDS4501HPowerTrench® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FDS4501H |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 2.5 W |
| Pd-功率耗散 | 2.5 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 18 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 18 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V, - 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V, - 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V, +/- 8 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V, 8 V |
| 上升时间 | 5 ns, 15 ns |
| 下降时间 | 10 ns, 25 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1958pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 27nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 18 毫欧 @ 9.3A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC N |
| 其它名称 | FDS4501HFSCT |
| 典型关闭延迟时间 | 38 ns, 40 ns |
| 功率-最大值 | 1W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 单位重量 | 187 mg |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 封装/箱体 | SOIC-8 Narrow |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N and P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 28 S, 16 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V，20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 9.3A，5.6A |
| 系列 | FDS4501H |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Half-Bridge |
| 零件号别名 | FDS4501H_NL |
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