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型号： FDS4435BZ
制造商： Fairchild Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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FDS4435BZ产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供FDS4435BZ由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDS4435BZ价格参考。Fairchild SemiconductorFDS4435BZ封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， P-Channel 30V 8.8A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC。您可以下载FDS4435BZ参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDS4435BZ 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
ChannelMode	Enhancement
描述	MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-SOICMOSFET 30V.PCH POWER TRENCH MOSFET
产品分类	FET - 单分离式半导体
FET功能	逻辑电平门
FET类型	MOSFET P 通道，金属氧化物
Id-ContinuousDrainCurrent	8.8 A
Id-连续漏极电流	8.8 A
品牌	Fairchild Semiconductor
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDS4435BZPowerTrench®
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	FDS4435BZ
PCN组件/产地	点击此处下载产品Datasheet
PCN设计/规格	点击此处下载产品Datasheet
Pd-PowerDissipation	2.5 W
Pd-功率耗散	2.5 W
RdsOn-Drain-SourceResistance	16 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻	16 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	- 30 V
Vds-漏源极击穿电压	- 30 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	+/- 25 V
Vgs-栅源极击穿电压	25 V
上升时间	13 ns
下降时间	38 ns
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	3V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	1845pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	40nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	20 毫欧 @ 8.8A，10V
产品目录页面	点击此处下载产品Datasheet
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	8-SOIC N
其它名称	FDS4435BZCT
典型关闭延迟时间	68 ns
功率-最大值	1W
包装	剪切带（CT）
单位重量	187 mg
商标	Fairchild Semiconductor
安装类型	表面贴装
安装风格	SMD/SMT
封装	Reel
封装/外壳	8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
封装/箱体	SO-8
工厂包装数量	2500
晶体管极性	P-Channel
最大工作温度	+ 150 C
最小工作温度	- 55 C
标准包装	1
正向跨导-最小值	24 S
漏源极电压(Vdss)	30V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	8.8A （Ta）
系列	FDS4435
通道模式	Enhancement
配置	Single Quad Drain Triple Source
零件号别名	FDS4435BZ_NL